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Inverted Staggered
a-Si:H TFT의 대부분이 이구조를 가지고 있다.
Etch stopper방식과 Back-channel etched 방식이 있다.
SiNx , a-Si:H, n+ a-Si:H 를 한번의 PECVD공정으로 형성이 가능
SiNx 표면에 a-Si 층을 증착하기 때문에 subcutaneous reaction 이 발생되지 않아 상대
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체와, 삼성SDI, LG-Philips LCD 등이 참여하고 있으며, a-Si TFT는 LCD 생산의 노하우를 기반으로 삼성전자에서 주도하여 연구하고 있는 실정이다.
LTPS를 연구하는 측에서는 LTPS 생산의 단가를 낮추기 위한 여러 가지 시도들(금속촉매 이용, SLS, CGS 기법
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해소하는데 도움이 될 것이다.
SLS 기술은 마스크에 레이저를 쏘아 기판의 a-Si을 Poly-Si으로 만드는 방법이다. 레이저의 집중성 때문에 너무나도 작은 면적에 레이저가 집중되어 불균일한 Poly-Si 층이 형성되기 쉽다. 그러한 문제의 해법으로 레
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해상도 구현이 용이해진다는 장점이 있다. 위에서 언급한 것과 같이 패널의 각 배선은 구동 IC로부터 주사 신호 및 데이터 신호를 TCP를 통해 입력받도록 되어있다. 그러나 구동 IC의 크기 및 배선 간격의 물리적 한계로 인해 기존의 a-Si에서는
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Si TFT)를 사용하여 20” AM OLED의 시제품 개발에 성공
- 대규모의 신규투자 없이 기존의 a-Si TFT 기술을 도입한 저가 중대형 OLED가 성공적으로 도입
되었을 경우 TV 및 모니터용 OLED의 시장 활성화가 될 것으로 예상
- 상대적으로 고가이며 기술적으
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PS는 회로소자의 특성이 a-SI에 비해 우수하므로 낮은 구동전압으로도 작동이 가능하고 결과적으로 전력 소모량이
적다는 장점을 지니게 된다. 또한 LTPS는 소자 크기가 작기 때문에 픽셀 개구율이 높고 광 투과율을 높일 수 있어 휘도가 증가하
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