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Inverted Staggered
a-Si:H TFT의 대부분이 이구조를 가지고 있다.
Etch stopper방식과 Back-channel etched 방식이 있다.
SiNx , a-Si:H, n+ a-Si:H 를 한번의 PECVD공정으로 형성이 가능
SiNx 표면에 a-Si 층을 증착하기 때문에 subcutaneous reaction 이 발생되지 않아 상대
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TFT에 사용된다.
Staggered 형
1)소스와 게이트가 다른평면상에 놓인다.
2)비정질 실리콘 TFT에 사용된다.
역(inverted) staggered 형 TFT (bottom gate 방식)
BCE형 TFT
N+막을 dry etch할때 , over etch정도에 따라서 비정질 실리콘의 두께가 달라진다. 300Å~700
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TFT-LCD란?
TFT-LCD의 정의
-반도체 소자인 TFT를 화소 하나하나에 배열하여 화소 각각을 구동시키는 능동형 LCD이다.
TFT-LCD는 스위치가 on되는 시간에 원하는 전압을 화소에 공급한 후 스위치가 off되는 시간에는 화소가 완전히 고립되어
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