눈으로 보는 반도체 제조공정

본문내용

칩은 점이 찍히게 된다.
(1) 칩 용어
그림 17은 MSI 회로의 현미경 사진이다.
금속 배선(보통 Al)은 그늘에서도 밝게 보이며 알맹이의 형태를 가진다.
회로 표시, 회로번호 표시는 좌측 하단에 표시한다. 보통 Fab을 위한 회로 번호는 팔릴때의 회로번호와는 다르다.
오염, 발견되는 오염 조각은 일반적인 실내 먼지보다 휄씬 작다.
Bonding Pad, 회로의 입력과 출력 단자는 패키지에 연결하기 쉽도록 칩의 가장자리에 위치한다.
Scribe Line, 회로 부분은 어던 라인으로 둘러 싸여 있다. 라인 바깥쪽은 칩이 절단되기 위해 아무것도 없는 지역이다.
연결 않된 소자, 보통 몇 개의 서로 다른 회로를 만들기 위해 개별 소자를 만들어 주는데 완성된 회로에도 쓰이지 않는 회로가 남아 있기도 하다.
바이폴라 트랜지스터, 전형적인 바이폴라 트랜지스터가 보인다.
Alignment Masks는 칩 바깥 가장자리에 있는 Alignment Masks의 도움으로 행해진다.
웨이퍼 선별 후 거치는 주요 스텝은 다음과 같다.
뒷면처리
웨이퍼는 페키지에 맞도록 기계적으로 얇게 하거나 페키지 다이에 붙도록 금속 박막을 증착한다.
Die Separate
웨이퍼는 스크라이빙이나 톱질에 의해 분할된다.
Pick
전기적 특성이 양호한 Die가 선택되어 어셈블리 공정으로 보내진다.
Die Attach
다이를 패키지에 붙인다.
Wire Bonding
금이나 알루미늄의 가는 선으로 본딩 패드와 패키지의 접속단자를 연결한다.
밀봉
다이를 밀봉해서 보호하기 위해 패키지에 겁질을 씌운다.
환경 및 기계적 실험
회로와 페키지의 고온, 습도, 기계충격 등에 대한 저항을 실험한다. 고신뢰도 회로소자(Hi Reliability)는 더 엄격한 시험을 받는다.
최종 시험
다이는 웨이퍼 선별처럼 전기적 시험을 받는다.
조립공정
SAWING
TAPE에 접착된 WAFER를 고속으로 회전하는 DIABOND BLADE를 이용하여, 개별의 반도체 CHIP으로 절단시키는 공정
ILB(Inner Lead Bonding)
SAWING한 WAFER의 각각의 CHIP들의 AU BUMP의 INNER LEAD를 ILB TOOL로 온도, 압력, 시간을 주어 연결시키는 공정
POTTING
ILB 공정이후 CHIP의 표면에 액상 수지를 이용하여 도포하여 외부환경으로 CHIP을 보호시키는기 위한 PACKAGE 형성공정
MARKING
PACKAGE의 수지도포표면위에 U.V잉크로 제품의 명칭이나 제조시기등 제품을 구분, 관리하기 위해 활자로 인쇄하는 공정
PROBE TESTING
COMPUTER를 이용하여 PACKAGE의 외부전극에 PROBE 바늘을 접촉시켜, 제품의 전기적 특성의 이상유무를 판별, 양품만을 선별해내는 공정
VISUAL INSPECTION
전기적 특성을 판별하여 양품의 제품을 최종적으로 이물질의 부착, 오염, 흠집 등의 외관 검사를 하는 공정
PACKING
모든 공정이 끝난 제품을 정전기, 습기 등으로부터 보호시키기 위한 개별포장 및 대포장 공정
ONE CUT

키워드

반도체,   제조공정,   웨이퍼