트랜지스터의 특성

소개글

트랜지스터의 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

이론
1)트랜지스터 개요
2)바이폴라 접합 트랜지스터
3)트랜지스터의 동작특성
4)BJT의 응용 : 증폭회로
실험
1)트랜지스터 검사
2)트랜지스터 특성 측정
3)이미터공통 트랜지스터 증폭회로

데이터 엑셀화,실제 빵판 사진

본문내용

5.45
4.0
1.89
1.882
3.71
3.75
5.48
5.55
6.0
1.93
1.919
3.81
3.85
5.74
5.79
->10μA일때는 전류가 눈에 뛰게 전류가 증가한것을 볼수 있지만 20μA,30μA 는 갑자기 증가하는것이 아니라 꾸준히 조금씩 증가하고 있다. 원래는 같은 전압에서 전류가 동시에 급 증가하다가 일정해 지고 가 크면 클수록 급 증가하다가 일정해지는 값을 보여야 되는데 실험에 오차가 있었던거 같다.
3)이미터공통 트랜지스터 증폭회로
①저항 = 4.7kΩ, 가변저항 = 100kΩ, = 100Ω, = 1kΩ 과 NPN 트랜지스터(2N3904)를 연결하여 그림 10(좌)과 같이 회로를 구성한다. 여기서, 가변저항 를 최대값으로 조정하고 트랜지스터의 단자 및 DC전원의 극성 방향에 주의하여 연결한다.
-> = 4.8kΩ
②스위치 S1을 S2를 닫고 = 10μA가 되도록 가변저항 를 조정하고 =4V가 되도록 가변저항 를 조정하고 를 측정한다.
③=20,30μA가 되도록 가변저항 를 조정하고 각 경우에 =4V가 되도록 가변저항 를 조정하고 각각의 경우에 대해 컬렉터의 출력전류 를 측정한다.
④=4V로 일정할 때, 이미터 공통회로의 전류이득을 계산한다. 이를 바탕으로 전류이득을 이득관계식으로부터 계산할 수 있다.
(V)
(mA)
10μA
3.99
1.815
181.5
0.994529548
20μA
3.99
3.826
191.3
0.994799792
30μA
4.00
5.275
175.3
0.994344958
->가 증가함에 따라 도 거의 같은 비율로 증가한다.값이 비슷하게 나와야되는데 오차가 좀 있는거 같고 는 거의 일정하게 나왔다.
⑤ ①위치에 그림,10(우)와 같이 축전기 C=10μA과 신호발생기에서 교류입력신호(1kHz,출력임피던스(1kΩ),7mVrms)를 직렬연결하고 오실로스코프의 coupling을 AC로 하고 프로브와 오실로스코프의 감쇠를 1X로 조절하고 Ch1에 입력한다.(-)단자는 직류접지단자와 공통접지 시킨다. ②번 위치에서 축전기 C=10μA 과 부하저항 =10kΩ을 직렬로 연결 하고 접지와 연결한다. ch2프로브를 부하저항에 연결한다.
⑥교류신호의 증폭률을 측정하고 위에서 측정한 직류의 이득과 비교한다. 그리고 주파수를 ~10Mhz까지 증가시키면 어떻게 되는지 확인한다.
주파수
ch1 rms
ch2 rms
증폭비율
1khz
194 mV
277 mV
1.427835
10khz
182 mV
265.3 mV
1.457692
100khz
182.2 mV
263.1 mV
1.444017
1Mhz
191.8 mV
279.3 mV
1.456204
->주파수를 올려도 증폭비율이 거의 1.4정도로 비슷하게 나왔다. 그리고 직류와 교류의 이즉을 비교해보면 직류쪽이 훨씬 많이 증폭되었다는것을 알수 있는데 아무래도 그 이유는 교류는 (+)와(-)를 주파수별로 계속 바뀌니깐 그런걸 알수 있다.그리고 이 실험에서는 예상한것이 주파수를 높이면 높일수록 데이터가 증폭이 덜 될줄 알고 있었는데 별 차이 없다는것이 신기하였다.

키워드

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