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측정하여
{I}_{C}
와
beta ={I}_{C}/{I}_{B}
를 계산하여 표1에 기록한다.
이 결과를 이용하여
{I}_{B}-{V}_{BE}
특성 곡선을 알아본다.
그림 5- IB-VBE 특성 실험회로.
실험B.
{I}_{C}-{V}_{CE}
특성측정
실험A와같이 트랜지스터 단자를 확인하고 회로를 꾸민다.
{V}_
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스간 저항
0.831Ω
무한대
결과
5.발광다이오드(LED)의특성실험
결과
LED전류 - 전압 측정
IF (mA)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VF (V)
1.874
1.916
1.947
1.974
1.996
2.019
2.039
2.059
2.079
2.097
에미터접지트랜지스터의특성실험
결과
e이번 실험에서는 우선 첫 번째
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특성이 좌우된다. 즉 특성값은 어떤 특정한 조건에 따라 그 특성값이 좌우되는 경우가 많다.
3. DC 바이어스 종속성
커패시터, 인덕터, 다이오드, 트랜지스터 등의 일부 소자들은 DC 바이어스 종속성을 나타낸다.
2. Elvis, LabVIEW, DAQ Board
2-1.
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. 이론
1)트랜지스터 개요
2)바이폴라 접합 트랜지스터
3)트랜지스터의 동작특성
4)BJT의 응용 : 증폭회로
실험
1)트랜지스터 검사
2)트랜지스터 특성 측정
3)이미터공통 트랜지스터 증폭회로
데이터 엑셀화,실제 빵판 사진
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트랜지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
< 특성 곡선의 Y축 그리기 >
[2]예비 실험 결과
전원 전압 VS
컬렉터 전류 iC
컬렉터에미터 전압, VCE
베이스 전류
계산
측정
계산
측정
계산
측정
[3]예비 실험 결과 분석 및 고찰
베이스 전
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