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저항
{R}_{B}
양간간의 전압
{V}_{RB}
를 측정하고
{I}_{B}
를 계산하여 표1에 기록한다.
그리고 저항
{R}_{C}
양단간의 저압강하
{V}_{RC}
를 측정하여
{I}_{C}
와
beta ={I}_{C}/{I}_{B}
를 계산하여 표1에 기록한다.
이 결과를 이용하여
{I}_{B}-{V}_{BE}
특성 곡선을
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N형이나 P형으로 도핑해서 단자가 3개 있는 소자를 만들 수 있다. 이렇게 만들어낸 소자가 BJT(bipolar junction transistor)이다. 이 BJT는 P-N-P로 만들 수도 있고, N-P-N으로 만들 수도 있다. 1.결합의 종류
2. 도체와 반도체 그리고 부도체의 특징
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n-p-n 구조가 된 것입니다. 이를 단락시켜줘야 하는데 그 작업은 laser로 합니다. laser로 wafer 끝단을 미세하게 뚫어주는데 그러면 앞면과 뒷면의 연결된 부분이 끊어져서 완전한 pn층을 형성하게 됩니다.
laser 장비
이것으로 태양전지 제작은 끝
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N-P(N~:
영점의 수 ,
P~:
극점의 수)임을 증명하여라.
1) 영점의 수가
N
개일때의 식
N= 1 over 2pii int_C f~'(z) over f(z) dz
2) 극점의 수가
P
개일때의 식
-P = 1 over 2pii int_c f~'(z) over f(z) dz
3) 영점의수가
N
개이고 극점의 수가
P
개일때의 식
N-P
=
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콜렉터 영역으로 확산된다는 점이다. 역방향 바이어스된 접합면을 넘어가는 것이 비교적 쉬운 이유는 n형인 베이스에서 소수캐리어가 p형인 콜렉터에서는 다수 캐리어가 된다는 사실을 생각하면 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
Ⅶ. 트랜지스터
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