트랜지스터의 특성 예비보고서

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본문내용

저항
{R}_{B}
양간간의 전압
{V}_{RB}
를 측정하고
{I}_{B}
를 계산하여 표1에 기록한다.
그리고 저항
{R}_{C}
양단간의 저압강하
{V}_{RC}
를 측정하여
{I}_{C}
와
beta ={I}_{C}/{I}_{B}
를 계산하여 표1에 기록한다.
이 결과를 이용하여
{I}_{B}-{V}_{BE}
특성 곡선을 알아본다.
그림 5- IB-VBE 특성 실험회로.
실험B.
{I}_{C}-{V}_{CE}
특성측정
실험A와같이 트랜지스터 단자를 확인하고 회로를 꾸민다.
{V}_{RB}
가 되도록 Potentiometer
{R}_{!}
을 조절하여
{I}_{B}
가 10㎂되도록 한다.
이때 저항
{R}_{C}
양단간의 전압
{V}_{RC}
를 측정하여 기록하고
{I}_{C}
를 계산한다.
Potentiometer
{R}_{2}
를 조절하여
{V}_{CE}
값을 표2에 나머지 값들도 바꾸어 가면서 기록한다.
Potentiometer
{R}_{1}
를 조절하여
{I}_{B}
가 표2의 나머지 값들이 되게 설정하여 측정한후 기록한다.
이 결과를 이용하여
{I}_{C}-{V}_{CE}
특성 곡선을 알아본다.
그림 5- IC-VCE 특성 실험회로.

키워드

트랜지스터,   n-p-n,   p-n-p,   콜렉터,   에미터,   트랜지스터의특성곡선