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p-n 정류접합
반도체에 P형과 N형 도펀트를 인접하게 도핑하면 P-N 접합을 만들 수 있다. P형으로 도핑된 부분에 +바이어스 전압을 걸어주면, P형 반도체의 다수 운반자(양공)가 접합면 쪽으로 밀려간다. 동시에 N형 반도체의 다수 운반자(전자)도
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-p A1268
Ib=0㎂
Ib=10㎂
Ib=30㎂
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
0
0
0
0
0
0
2
0
2
250
2
240
4
0
4
270
4
253.333333
6
0
6
280
6
p-n-p A1270
Ib=0㎂
Ib=10㎂
Ib=30㎂
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
0
0
0
0
0
0
2
0
2
240
2
240
4
0
4
270
4
253.333
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어서 저항
{R}_{B}
양간간의 전압
{V}_{RB}
를 측정하고
{I}_{B}
를 계산하여 표1에 기록한다.
그리고 저항
{R}_{C}
양단간의 저압강하
{V}_{RC}
를 측정하여
{I}_{C}
와
beta ={I}_{C}/{I}_{B}
를 계산하여 표1에 기록한다.
이 결과를 이용하여
{I}_{B}-{V}_{BE}
특성 곡
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, 학술정보, 2005
전자회로의 기초, 김재요 저, 두양사, 2006 1. 실험 목적
2. 질문
1) P-type, N-type 반도체
2) P-N junction
3) Diode
4) Diode equation에 대하여 조사하고 의미를 설명한다.
5) 정류회로
6) LED
3. 시뮬레이션
1) 정류회로 제작
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이 발생한게 되는데,
전기장(Electric Field)은 (+)에서 (-)방향이니 P-N접합에서는 전기장(Electric Field)의 방향은 N타입에서 P타입이 되게 된다.
그림
내용
전기장 (Electric Field)
3. 순방향 바이어스 (Forward bias)
P타입 반도체 쪽에 전류가 흐를수 있게 (+)
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p-n 다이오드의 전류-전압(I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 .............. 11
[그림 2-4] LED DC current의 증가에 따른 광도(luminous intensity) . 12
[그림 2-5] 브리지 정류회로에서의 파형 변화 ..................... 1
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p-n 접합 다이오드의 일종으로, 빛이 발생되는 원리는 n영역의 전자가 외부에서 공급되는 전류에 의해 p영역으로 이동하게 되고 접합부(Junction)에서 전자와 정공이 재결합하게 된 후 전자(Electron)가 기저상태로 환원하면서 에너지(빛)를 발산하
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