|
, 학술정보, 2005
전자회로의 기초, 김재요 저, 두양사, 2006 1. 실험 목적
2. 질문
1) P-type, N-type 반도체
2) P-N junction
3) Diode
4) Diode equation에 대하여 조사하고 의미를 설명한다.
5) 정류회로
6) LED
3. 시뮬레이션
1) 정류회로 제작
|
- 페이지 4페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2008.12.24
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
|
- 페이지 14페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2010.01.20
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
P-N junction이 있어서 의해서 전류가 통과하면 항상 전압 강하가 발생 하거든요. P-N junction의 전압 강하는 300k 에서 약 0.7 V 구요. Transistor는 P-N junction을 두개 가지고 있답니다. 그래서 전압이 최소한 1.4V 이상이 되어야 하구요. 보통 동작을 위해
|
- 페이지 17페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2008.10.27
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
p-n접합(p-n junction)을 형성하고, 여기에 순방향(forward direction)의 전압을 걸어주어 전자나 정공(hole)이 p-n 접합부분에서 재결합하며 빛을 방출하도록 한 장치이다. LED에서 방출되는 다양한 색을 얻기 위하여 여러 종류의 반도체들이 사용되며, 각
|
- 페이지 13페이지
- 가격 1,800원
- 등록일 2021.04.01
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
p-n junction diode의 동작
17.Depletion Region 이란?
18.step junction과 linearly graded junction profile 비교
19.Built in Voltage란?
20.diode와 tr의 I-V 특성 곡선
21.Early Effect(Base Width Modulation)
22.Shottkey(diode) & Ohmic Contact 비교
23.doping concentration이 감소하면
|
- 페이지 11페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2009.09.20
- 파일종류 워드(doc)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|