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첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
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이 발생한게 되는데,
전기장(Electric Field)은 (+)에서 (-)방향이니 P-N접합에서는 전기장(Electric Field)의 방향은 N타입에서 P타입이 되게 된다.
그림
내용
전기장 (Electric Field)
3. 순방향 바이어스 (Forward bias)
P타입 반도체 쪽에 전류가 흐를수 있게 (+)
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접합하면 접합한 부분에는 정공과 전자가 결합을 하고 이온화된 전장이 형성되어 더 결합이 이루어지지 않는 공간 전하 영역 또는 공핍 층이 생기는데 p형과 n형의 바이어스가 순방향일 때 공핍 층이 없어지고 전류가 흐르게 된다는 것을 알
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p-n접합에 역방향 바이어스를 인가하면 공간전하영역의 전하수가 증가한다. 같은 원리에 의해 순방향 전압을 인가하면 공간전하영역이 감소하고 전하의 수도 줄어든다. 따라서 공간전하영역이 감소하고 전하의 수도 줄어든다. 따라서 공간전
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4.전자 대 정공의 흐름
5.이상적인 다이오드 특성
6.실제적인 다이오드의 모델
7.다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 특성
8.Zerner 영역
9.실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드
10.다이오드의 등가회로
11.다이오드의 종류
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p-n 접합기술, 사진노광기술, 전극형성기술, 애칭기술, 유전체박막 성형기술, 산화 막 형성기술 등이 사용되며 이는 메모리, TFT-LCD, 광통신 산업분야에서 우리나라가 세계 최고 수준 기술을 확보하고 있는 기술이다.
4) 국내에서의 태양전지 사
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p-n 접합 다이오드의 일종으로, 빛이 발생되는 원리는 n영역의 전자가 외부에서 공급되는 전류에 의해 p영역으로 이동하게 되고 접합부(Junction)에서 전자와 정공이 재결합하게 된 후 전자(Electron)가 기저상태로 환원하면서 에너지(빛)를 발산하
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p-n 정류접합과 트랜지스터를 배우면서 반도체의 기본 개념과 원리에 대해 공부하며 신소재공학의 기초를 다졌으며, 선택 과목으로 재료전자 물성론, 재료 열역학 등을 수강하며 지식의 폭을 넓힐 수 있었습니다. 반도체 관련 과목 이외에도
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