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반도체 접합부에 전하를 띈 이온들이 쌓이는 영역이 생기는데 이를 결핍
층이라고 한다.
4. 전위장벽, 바이어스
p, n 영역의 전위차를 전위장벽이라고 하고 다이오드에 인가되는 전압을 바이어
스라고 한다.
5. 순방향 바이어스
p형 반도체
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첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
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반도체
1.2.도체물질의 성질
1.3 원소주기율표
2.에너지대
3.실리콘과 게르마늄 반도체의 다이어그램
4.전자 대 정공의 흐름
5.이상적인 다이오드 특성
6.실제적인 다이오드의 모델
7.다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 특성
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순방향 bias 일때의 전류-전압 곡선을 실험결과를 토대로 그리고,
전류-전압 특성에 대해 기술하시오.
(1)전류-전압 특성에 대하여...
실험 결과 반도체를 접합시켜서 다이오드로 만들었을때 공핍층이 형성되어 보통때는 전류를 흐르지 않는 부
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반도체 소자, 대웅출판사 Ⅰ. 다이오드의 정의
Ⅱ. 다이오드의 특성
1. 순방향 다이오드
2. 역방향 다이오드
Ⅲ. 다이오드의 종류
1. 터널다이오드
2. 정전압 다이오드(제너 다이오드)
3. 발광 다이오드(LED)
Ⅳ. 다이오드의 사용 사
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