목차
1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
본문내용
1. P-Type 반도체
실리콘에 최외각 전자수가 3개인 불순물을 첨가.
P형 불순물을 첨가하면 정공의 수가 증가.
Acceptor 불순물로는 인듐(In), 갈륨(Ga), 붕소(B) 등.
2. N-Type 반도체
실리콘에 최외각 전자수가 5개인 불순물을 첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등.
실리콘에 최외각 전자수가 3개인 불순물을 첨가.
P형 불순물을 첨가하면 정공의 수가 증가.
Acceptor 불순물로는 인듐(In), 갈륨(Ga), 붕소(B) 등.
2. N-Type 반도체
실리콘에 최외각 전자수가 5개인 불순물을 첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등.
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