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첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
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드에 음의 전압을 인가하는 것을 말한다.
- 외부전압이 공핍 영역에서 발생하는 전기장과 반대가 되기 때문에 전위 장벽을 약하게(낮아지게) 만든다. 전위 장벽이 약해짐으로써 더 큰 확산 전류가 흐르게 된다.
- 외부전압이 커질수록 다이오
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전위장벽을 가지고 있기 때문이다.
▲ 전류가 갑자기 증가하기 시작하는 전압을 다이오드의 문턱전압이라 한다. 실리콘 다이오드의 문턱전압은 전위장벽과 같이 대략 0.7V이다. 한편, 게르마늄 다이오드의 문턱전압은 약 0.3V이다.
3. forward bia
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전위장벽, 바이어스
p, n 영역의 전위차를 전위장벽이라고 하고 다이오드에 인가되는 전압을 바이어
스라고 한다.
5. 순방향 바이어스
p형 반도체에 높은 전압을 가해줄 때를 말하며 전압이 전위장벽을 없애서 전류가
흐르고 결핍층이 좁아
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전위장벽을 가지고 있기 때문이다.
▲ 역방향영역의 다이오드
다이오드가 역방향 영역이면 단지 약간의 누설전류만 흐른다. 다이오드의 전류와 전압을 측정하여 역방향 특성곡선을 그리면 아래 그림과 같다. 역방향 전압이 항복전압 이하이
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전위강화기구를 설명해보라.
11. 군가산점제에 대한 견해는?
12. 연료전지에 대하여 설명해보라.
13. 졸업 후 지금까지 뭐했는가?
14. 살면서 가장 힘들었던 경험을 말해보라.
15. 해당직무를 선택한 이유는?
16. 복수전공을 한 이유는?
17. 군경험을
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