P-N접합 조사 레포트

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본문내용

발생한게 되는데,
전기장(Electric Field)은 (+)에서 (-)방향이니 P-N접합에서는 전기장(Electric Field)의 방향은 N타입에서 P타입이 되게 된다.
그림
내용
전기장 (Electric Field)
3. 순방향 바이어스 (Forward bias)
P타입 반도체 쪽에 전류가 흐를수 있게 (+)전압을 걸어주는 경우를 순방향 바이어스(Forward bias)라고 한다.
P타입 쪽에 (+)전압을 걸게 되면, P타입 쪽 에너지 밴드는 내려가게 되고, 에너지 밴드는 상대적인 비례이기 때문에 N타입 쪽 에너지 밴드가 올라간다.
에너지 밴드가 나타내는 것이 전자, (-)극성 캐리어의 에너지를 나타내기 때문에 걸리는 전압과 반대 방향으로 변화하게 된다.
열 평형상태에서의 내부 확산 전위 장벽이 낮아지면서 전자와 홀이 이동할 수 있게 되며, 그로인해 전류가 흐르기 쉬운 상태가 된다.
다시 말하자면 전기적으로 전자가 (+)극인 P타입 쪽으로 끌려가고, 홀이 (-)극인 N타입 쪽으로 끌려가기 때문에 전류가 흐르기 쉬워진다는 것이다.
그림
내용
순방향 바이어스 (Forward bias)
4. 역방향 바이어스 (Reverse bias)
P타입 반도체 쪽에 전류가 흐를 수 있게 (+)전압을 걸어주는 경우를 순방향 바이어스(Forward bias)라고 하는 반면에,
P타입 반도체 쪽에 (-)전압을 걸어주는 경우를 역방향 바이어스 (Reverse bias)라고 한다.
P타입 쪽에 (-)전압을 걸게 되면, P타입 쪽 에너지 밴드는 올라가게 되고, 에너지 밴드는 상대적인 비례이기 때문에 N타입 쪽 에너지 밴드가 내려간다고 말할 수도 있다.
열 평형상태에서의 내부 확산 전위 장벽이 높아지면서 전자와 홀이 이동할 수 없게 된다.
즉 전기적으로 전자가 (+)극인 N타입 쪽으로 끌려가고, 홀이 (-)극인 P타입 쪽으로 끌려가기 때문에 전류가 흐르기 힘든 상태가 된다는 것이다.
그림
내용
역방향 바이어스 (Reverse bias)
참조
세화 http://www.sehwapub.co.kr
[네이버 지식백과]
NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/nnfcblog/60199284214)

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