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트랜지스터 단자를 확인하고 회로를 꾸민다.
{V}_{RB}
가 되도록 Potentiometer
{R}_{!}
을 조절하여
{I}_{B}
가 10㎂되도록 한다.
이때 저항
{R}_{C}
양단간의 전압
{V}_{RC}
를 측정하여 기록하고
{I}_{C}
를 계산한다.
Potentiometer
{R}_{2}
를 조절하여
{V}_{CE}
값을
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p-n-p A1270
Ib=0㎂
Ib=10㎂
Ib=30㎂
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
Vce
전류증폭률β
0
0
0
0
0
0
2
0
2
240
2
240
4
0
4
270
4
253.333333
6
0
6
280
6
3.결과해석
트랜지스터의 Vce가 증가할수록 Ic와 전류증폭률이 증가하는 것을 알 수 있으며, Ib가 증가하면 Ic는
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외 4명, 『핵심 반도체 개론』 , 청문각, 2004
이영종 , 『기초전자공학』, 복두출판사, 2003 1. 반도체란 무엇인가
2. 반도체 개요
3. 반도체 종류
4. 반도체 성질
5. 다이오드
- p-n접합
- 다이오드 구조, 전기적 특성
- 다이오드 종류
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P층, N층에 들어와 전하가 축적되게 된다. 이 때 외부의 부하를 단자에 접속하면 빛에너지를 전기 에너지의 형태로 얻을 수 있다.
② 포토 트랜지스터 동작원리 - 트랜지스터의 베이스와 컬렉터 사이의 p-n접합에 빛을 조사하면 전자와 양공이
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반도체
(3) 불순물 반도체
(4) n형 반도체와 에너지대
(5) p형 반도체와 에너지대
(6) 재결합
3) 반도체의 종류
(1) 원소 반도체
(2) 화합물 반도체
(3) 유기물 반도체
4) 반도체 정제법
(1) 정제의 종류
(2) 단결정 제작법
5) p-n 접합 제조법
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P제어기 사용
- 과도상태 특성과 정상상태 특성의 영향을 고려한 적절한 값 설정
- Damping ratio = 1.5로 선정
속도제어기
- PI제어기 사용
- 과도상태 특성과 정상상태 특성의 영향을 고려한 적절한 값 설정
- BW = 300으로 선정
Simulation
- 지령위치
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p-n 다이오드의 전류-전압(I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 .............. 11
[그림 2-4] LED DC current의 증가에 따른 광도(luminous intensity) . 12
[그림 2-5] 브리지 정류회로에서의 파형 변화 ..................... 1
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p-n 정류접합과 트랜지스터를 배우면서 반도체의 기본 개념과 원리에 대해 공부하며 신소재공학의 기초를 다졌으며, 선택 과목으로 재료전자 물성론, 재료 열역학 등을 수강하며 지식의 폭을 넓힐 수 있었습니다. 반도체 관련 과목 이외에도
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p-n 접합 다이오드의 일종으로, 빛이 발생되는 원리는 n영역의 전자가 외부에서 공급되는 전류에 의해 p영역으로 이동하게 되고 접합부(Junction)에서 전자와 정공이 재결합하게 된 후 전자(Electron)가 기저상태로 환원하면서 에너지(빛)를 발산하
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