트랜지스터의 특성_예비보고서

목차

1. 실험 제목

2. 실험 목적

3. PSpice 시뮬레이션 및 고찰

본문내용

터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
<작동점을 구하기 위한 트랜지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
<작동점을 구하기 위한 트랜지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
< 특성 곡선의 Y축 그리기 >
[2]예비 실험 결과
전원 전압 VS
컬렉터 전류 iC
컬렉터에미터 전압, VCE
베이스 전류
계산
측정
계산
측정
계산
측정
[3]예비 실험 결과 분석 및 고찰
베이스 전류
전원 전압 VS
이므로 일 때
이므로 일 때
이므로 일 때
컬렉터 전류 iC
이므로
이므로
이므로
컬렉터에미터 전압, VCE
키르히호프의 전압 법칙에 의해
이라 할 수 있고 따라서
라 할 수 있다.
키르히호프의 전압 법칙에 의해
이라 할 수 있고 따라서
라 할 수 있다.
키르히호프의 전압 법칙에 의해
이라 할 수 있고 따라서
라 할 수 있다.
이므로 베이스 전류가 각각 일 때 전원 전압 를 구할 수 있었다. 또한 이므로 를 이용하여 값을 구할 수 있었다. 키르히호프의 전압 법칙에 의한 식 을 이용하여 컬렉터에미터 전압 의 값을 위와 같이 구할 수 있었다.
◎실험4. 특성곡선의 X축 그리기
[1]Pspice 시뮬레이션
<작동점을 구하기 위한 트랜지스터 회로>
< 특성 곡선의 X축 그리기 >
[2]예비 실험 결과
컬렉터 전류 iC
컬렉터에미터 전압, VCE
베이스 전류
계산
측정
오차
계산
측정
오차
[3]예비 실험 결과 분석 및 고찰
베이스 전류
컬렉터 전류 iC
이므로
이므로
이므로
컬렉터에미터 전압, VCE
키르히호프의 전압 법칙에 의해
이라 할 수 있고 따라서
라 할 수 있다.
키르히호프의 전압 법칙에 의해
이라 할 수 있고 따라서
라 할 수 있다.
키르히호프의 전압 법칙에 의해
이라 할 수 있고 따라서
라 할 수 있다.
컬렉터 전류 는 위 실험 3에서 구한 것과 같은 방법으로 구할 수 있었고 컬렉터 에미터 전압 역시 같은 방법으로 구할 수 있었으며 의 값이 임을 유의하여 계산할 수 있었다.
◎실험5. 이 트랜지스터의 값은 얼마인가?
먼저 트랜지스터의 작동점을 구하기 위해서는 그 트랜지스터 고유의 전류 증폭 이득값 을 알아야 한다. 로 직류 전류 증폭 이득 값이고 로 교류 전류 증폭 이득 값인데 위의 특성 곡선 그래프를 통하여 대략적인 교류 증폭 이득을 구할 수 있다. 따라서 트랜지스터의 값은 이라 할 수 있다.
※실험 3의 PSpice 시뮬레이션에 의한 트랜지스터의 값
베이스 전류
트랜지스터의 값
직류전류 증폭 이득 값
이므로
직류전류 증폭 이득 값
이므로
직류전류 증폭 이득 값
이므로
※실험 4의 PSpice 시뮬레이션에 의한 트랜지스터의 값
베이스 전류
트랜지스터의 값
직류전류 증폭 이득 값
이므로
직류전류 증폭 이득 값
이므로
직류전류 증폭 이득 값
이므로
◎실험6. x축을 로 하고 y축을 로 한 뒤에 그래프를 그리시오.
< 실험 3 >
< 실험 4 >
◎실험7. 이 그래프에 Load line을 그리시오.
< 실험 3 >
< 실험 4 >
◎실험8. 실험하고 있는 그래프로부터 적당한 Q점은 얼마라고 생각되는가? 왜 그렇게 생각하는가?
Q3가 가장 적당한 Q점이다. 60uA인 Q3(10.2mA, 2.756V),
Saturation과 cutoff의 가장 중앙에 위치해 있기 때문에
◎고찰
이번 실험9는 트랜지스터의 특성 및 작동을 이해하고 이 때 작동점의 역할에 대해 이해하는 실험이었다. 트랜지스터에서의 임을 이용하여 베이스 전류 를 알 때 컬렉터 전류 의 값을 알 수 있었고 이전에 배운 키르히호프 법칙을 이용하여 컬렉터에미터 전압의 값을 구할 수 있었다. PSpice를 이용하여 특성 곡선과 로드라인을 이용하여 작동점을 찾아내는 방법을 익힐 수 있었다.

키워드

트랜지스터,   트랜지스터특성,   실험보고서,   트랜지스터작동