목차
Ⅰ. 서 론
1. 실험하는 목적
Ⅱ. 본 론
1. 이론적 배경
1> 플라즈마란?
2> 진공이란?
3> Sputter
4> 왜 저항 측정을 하는가?
2. 실험 방법
3. 실험 결과
Ⅲ. 고 찰
Ⅳ. 참 고
1. 실험하는 목적
Ⅱ. 본 론
1. 이론적 배경
1> 플라즈마란?
2> 진공이란?
3> Sputter
4> 왜 저항 측정을 하는가?
2. 실험 방법
3. 실험 결과
Ⅲ. 고 찰
Ⅳ. 참 고
본문내용
사용을 하였다. 전압은 100W로 맞추었다. 그 후 이 실험이 끝나고 저항을 측정을 하게 되었지만 저항은 몇 번을 시도를 해 본 결과 저항값을 구하지 못하였다. 그 후에 두께를 측정하게 되었는데...두께는 각각 3번씩 측정을 하였다. 처음에 측정을 값은 837× 10-10이 나왔고, 두 번째로 측정한 값은 760× 10-10, 막지막으로 측정한 값은 733 × 10-10이 나왔다. 이 세 값을 평균을 내었더니 777× 10-10값이 나왔다.
다음은 다른 조의 결과를 나타낸 것이다.
A조
B조
C조
D조
E조
Target
Ti
AZO
AZO
Ti
AZO
전압
100W
100W
120W
100W
100W
측정시간
20분
15분
15분
10분
20분
면적
가로 : 1.5cm
세로 : 1.2cm
가로 : 2.0cm
세로 : 1.1cm
가로: 2.1cm
세로 :1.0cm
가로 : 1.6cm
세로 : 1.0cm
가로 : 2.0cm
세로 : 0.9cm
평균 두께
600.6× 10-10
355.2× 10-10
349× 10-10
200× 10-10
777× 10-10
저항
42.2
859.1
859.05
56.7
측정불가
다른 조의 결과값을 표로 작성을 하였는데 각각의 조건이 틀렸고 또한 여러 조건으로 인해서 저항값도 많은 차이를 나타내고 있다. 우선 Target, 전압, 측정시간, 면적, 평균두께에 따라서 저항 값이 변한다는 점이다.
Ⅲ. 고 찰
위 결과와 조사를 하게 되면서 증착과 저항의 관계를 조금이나마 알게 되었다. 유리기판상에 증착을 많이 할수록, 면저항(ohm/sq)이 줄어든다는 것을 알 수 있었다. 재료가 전기를 통하는 전기 전도성이 워낙 좋기 때문에 박막의 높이가 커지면 커질수록 전류의 흐름을 방해하는 저항이 감소한다고 한다. 전기 전도성이 좋아야지만 저항으로 인하여 전류가 갑자스럽게 끊김이 없어야 하기 때문이다. 비록 우리조가 저항 측정을 못하여 다른 조와는 비교를 못하지만 다른 조끼리 비교를 하고자한다. 우선 C조와 D조를 보게 되면 저항이 높게 나왔다는 것을 볼 수 있다. 저항이 높게 나왔다는 것은 부도체의 재료로 사용한다는 것을 추측을 할 수 있다. 즉, AZO는 부도체를 위한 재료라고 생각을 한다.
그리고 A조와 D조를 보게 되면 같은 Target은 같고 면적도 비슷하지만 A조의 실험 재료의 저항이 낮게 나온 걸로 봐서 측정시간이 10분이 더 길고 두께 때문에 증착이 재료에 더 많이 붙어서 전류의 흐름을 더 좋게 한다는 것을 알 수가 있었다. B조와 C조는 AZO로서 저항값이 높게 측정이 되는 걸로 보아서 반도체에서 전류를 흐르는 것을 억제시켜주는 역할을 하는 것으로 생각이 든다. 그리고 값이 비슷하게 나왔는데 같은 시간으로서 증착은 비슷할 것이라고 생각하며 면적은 같다. 평면두께는 B조가 더 높지만, 전압은 C조가 더 높기 때문에 서로 비슷한 저항이 나왔을 거라 생각한다. 아직은 반도체에 대해서 잘 모르지만 반도체는 기판 위에 여러 개의 재료가 들어가는 것으로 알고 있다. 전류가 잘 흐르는 전도체 물질을 넣어주는가 하면 전류를 억제시키는 부도체도 포함되어 들어가 있는 것으로 알고 있는데 아직은 반도체에 대한 지식이 부족하여 앞으로 반도체에 대해서 공부를 좀 하고자 한다.
Ⅳ. 참 고 자 료
1> http://naver.com
2> http://www.yahoo.co.kr
3> http://google.co.kr
4> http://www.yeskisti.net/yesKISTI/InfoSearch/ReadDB01.jsp?CNO=JAKO199711920462491&
SITE=KLIC
5> http://www.nl.go.kr/ (중앙국립도서관 논문 활용)
다음은 다른 조의 결과를 나타낸 것이다.
A조
B조
C조
D조
E조
Target
Ti
AZO
AZO
Ti
AZO
전압
100W
100W
120W
100W
100W
측정시간
20분
15분
15분
10분
20분
면적
가로 : 1.5cm
세로 : 1.2cm
가로 : 2.0cm
세로 : 1.1cm
가로: 2.1cm
세로 :1.0cm
가로 : 1.6cm
세로 : 1.0cm
가로 : 2.0cm
세로 : 0.9cm
평균 두께
600.6× 10-10
355.2× 10-10
349× 10-10
200× 10-10
777× 10-10
저항
42.2
859.1
859.05
56.7
측정불가
다른 조의 결과값을 표로 작성을 하였는데 각각의 조건이 틀렸고 또한 여러 조건으로 인해서 저항값도 많은 차이를 나타내고 있다. 우선 Target, 전압, 측정시간, 면적, 평균두께에 따라서 저항 값이 변한다는 점이다.
Ⅲ. 고 찰
위 결과와 조사를 하게 되면서 증착과 저항의 관계를 조금이나마 알게 되었다. 유리기판상에 증착을 많이 할수록, 면저항(ohm/sq)이 줄어든다는 것을 알 수 있었다. 재료가 전기를 통하는 전기 전도성이 워낙 좋기 때문에 박막의 높이가 커지면 커질수록 전류의 흐름을 방해하는 저항이 감소한다고 한다. 전기 전도성이 좋아야지만 저항으로 인하여 전류가 갑자스럽게 끊김이 없어야 하기 때문이다. 비록 우리조가 저항 측정을 못하여 다른 조와는 비교를 못하지만 다른 조끼리 비교를 하고자한다. 우선 C조와 D조를 보게 되면 저항이 높게 나왔다는 것을 볼 수 있다. 저항이 높게 나왔다는 것은 부도체의 재료로 사용한다는 것을 추측을 할 수 있다. 즉, AZO는 부도체를 위한 재료라고 생각을 한다.
그리고 A조와 D조를 보게 되면 같은 Target은 같고 면적도 비슷하지만 A조의 실험 재료의 저항이 낮게 나온 걸로 봐서 측정시간이 10분이 더 길고 두께 때문에 증착이 재료에 더 많이 붙어서 전류의 흐름을 더 좋게 한다는 것을 알 수가 있었다. B조와 C조는 AZO로서 저항값이 높게 측정이 되는 걸로 보아서 반도체에서 전류를 흐르는 것을 억제시켜주는 역할을 하는 것으로 생각이 든다. 그리고 값이 비슷하게 나왔는데 같은 시간으로서 증착은 비슷할 것이라고 생각하며 면적은 같다. 평면두께는 B조가 더 높지만, 전압은 C조가 더 높기 때문에 서로 비슷한 저항이 나왔을 거라 생각한다. 아직은 반도체에 대해서 잘 모르지만 반도체는 기판 위에 여러 개의 재료가 들어가는 것으로 알고 있다. 전류가 잘 흐르는 전도체 물질을 넣어주는가 하면 전류를 억제시키는 부도체도 포함되어 들어가 있는 것으로 알고 있는데 아직은 반도체에 대한 지식이 부족하여 앞으로 반도체에 대해서 공부를 좀 하고자 한다.
Ⅳ. 참 고 자 료
1> http://naver.com
2> http://www.yahoo.co.kr
3> http://google.co.kr
4> http://www.yeskisti.net/yesKISTI/InfoSearch/ReadDB01.jsp?CNO=JAKO199711920462491&
SITE=KLIC
5> http://www.nl.go.kr/ (중앙국립도서관 논문 활용)
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