목차
1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 기초 이론
4. 실험 방법
5. Simulation
2. 실험 목적
3. 기초 이론
4. 실험 방법
5. Simulation
본문내용
회로에서 떼어내고 저항값을 측 정하여 기록한다.
③ 캐패시터 를 다른값으로 바꾸고 실험과정을 반복한다.
④ 식 을 이용하여 를 구하고 기록한다.
5. Simulation
(1) 미지의 저항 의 측정
브리지에 흐르는 전류가 0이 되면 회로에서 보이는 에 흐르는 전류와 에 흐르는 전류가 같아지므로 두 지점의 전류를 시뮬레이션 해보았다. 가변저항이 증가함에 따라(x축) 에 흐르는 전류는 감소폭이 미미하지만 줄어듬을 알 수 있었고, 에 흐르는 전류는 증가폭이 조금씩 감소하면서 증가함을 알 수 있었다. 그래프에서도 보이듯이 가변저항값이 10일 때 두 전류가 같아지므로 그 지점에서 브릿지에 전류가 흐르지 않음을 알 수 있었다.
실제 실험에서 의 값을 모를 경우 위와같은 회로를 구성 한 뒤 가변저항 값에 변화를 주어 두 지점에서 전류 값이 같아질 때 가변저항 값을 측정하고 식에 따라 미지저항 값을 알 수 있을 것 같다.
(2) 캐패시턴스의 측정
미지의 캐피시터의 캐패시턴스를 측정하기 위해선 에 흐르는 전류가 0이 되도록 만들어야 하므로 가변저항 값을 변하게 하여 시뮬레이션을 해봤다. 위 그래프에서 알 수 있듯이 가변 저항값이 454.45 일 때 에 흐르는 전류가 0이 된다. 이와같이 실제 실험에서는 미지의 캐패시터의 캐패시턴스를 구할 때 가변저항 값에 변화를 주어 에 흐르는 전류가 0이 되는 지점에서의 가변저항값과 이미 알고 있는 , 값을 이용하여 식으로 미지의 캐패시터의 캐패시턴스를 측정 할 수 있다.
※ 가 성립하는 이유는
이 식이 만족하므로
이를 정리하면 가되고
다시 정리하면 가 된다. 따라서
가 성립한다.
③ 캐패시터 를 다른값으로 바꾸고 실험과정을 반복한다.
④ 식 을 이용하여 를 구하고 기록한다.
5. Simulation
(1) 미지의 저항 의 측정
브리지에 흐르는 전류가 0이 되면 회로에서 보이는 에 흐르는 전류와 에 흐르는 전류가 같아지므로 두 지점의 전류를 시뮬레이션 해보았다. 가변저항이 증가함에 따라(x축) 에 흐르는 전류는 감소폭이 미미하지만 줄어듬을 알 수 있었고, 에 흐르는 전류는 증가폭이 조금씩 감소하면서 증가함을 알 수 있었다. 그래프에서도 보이듯이 가변저항값이 10일 때 두 전류가 같아지므로 그 지점에서 브릿지에 전류가 흐르지 않음을 알 수 있었다.
실제 실험에서 의 값을 모를 경우 위와같은 회로를 구성 한 뒤 가변저항 값에 변화를 주어 두 지점에서 전류 값이 같아질 때 가변저항 값을 측정하고 식에 따라 미지저항 값을 알 수 있을 것 같다.
(2) 캐패시턴스의 측정
미지의 캐피시터의 캐패시턴스를 측정하기 위해선 에 흐르는 전류가 0이 되도록 만들어야 하므로 가변저항 값을 변하게 하여 시뮬레이션을 해봤다. 위 그래프에서 알 수 있듯이 가변 저항값이 454.45 일 때 에 흐르는 전류가 0이 된다. 이와같이 실제 실험에서는 미지의 캐패시터의 캐패시턴스를 구할 때 가변저항 값에 변화를 주어 에 흐르는 전류가 0이 되는 지점에서의 가변저항값과 이미 알고 있는 , 값을 이용하여 식으로 미지의 캐패시터의 캐패시턴스를 측정 할 수 있다.
※ 가 성립하는 이유는
이 식이 만족하므로
이를 정리하면 가되고
다시 정리하면 가 된다. 따라서
가 성립한다.
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