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목차
Part 1 반도체, 그리고 삼성전자
Part 2 성공요인(1) : 기술적 요인
Part 3 성공요인(2) : 조직적 기반과 기업문화적 요소
Part 4 미래전략, 및 결론
Part 2 성공요인(1) : 기술적 요인
Part 3 성공요인(2) : 조직적 기반과 기업문화적 요소
Part 4 미래전략, 및 결론
본문내용
1 About 삼성 반도체
창업기 1971 ~ 1969
성장기반 구축기1974 ~ 1971
시세 회복기1976 ~ 1974
고도 성장기1978 ~ 1976
불황극복 개발기 1983 ~ 1978
수출주도 성장기 1984 ~ 1983
해외시장 변신기 1989 ~ 1986
2000년대를 향한 전진 1998 ~ 1990
1974년 한국반도체를 인수하여 삼성반도체로 이름을 바꿈
1981년 반도체 연구소 건립
1983년 VLSI양산 공장건설 착수, 64K DRAM 개발, San Jose에 현지법인 설립
1986년 1M DRAM 개발
1990년 16M DRAM 개발
1992년 64M DRAM 발
1992년 DRAM 시장 점유율 세계 1위 달성1993년 메모리 사장 점유율 세계 1위 달성1994년 256M DRAM 개발1996년 1G DRAM 개발2001년 1G 플래시 개발
2003 년 세계 최초 70나노 4기가 낸드플래시 개발
2004년 8G 플래시 개발2005년 세계 최초 50나노 16기가 반도체 개발
2006년 메모리 14년 연속 세계 1위 달성
2006년 DRAM, 15년 연속 세계 1위 달성
2006년 S램, 12년 연속 세계1위 달성
2006년 플래시메모리(전체), 5년 연속 세계 1위 달성
2007년 세계 최초 60나노급 1기가 DRAM 생산
2008년 50나노 1기가 DDR2 D램 최초 양산
2009년 세계 최초 40나노 DDR3 D램 양산
Part 1 About 삼성 반도체
창업기 1971 ~ 1969
성장기반 구축기1974 ~ 1971
시세 회복기1976 ~ 1974
고도 성장기1978 ~ 1976
불황극복 개발기 1983 ~ 1978
수출주도 성장기 1984 ~ 1983
해외시장 변신기 1989 ~ 1986
2000년대를 향한 전진 1998 ~ 1990
1974년 한국반도체를 인수하여 삼성반도체로 이름을 바꿈
1981년 반도체 연구소 건립
1983년 VLSI양산 공장건설 착수, 64K DRAM 개발, San Jose에 현지법인 설립
1986년 1M DRAM 개발
1990년 16M DRAM 개발
1992년 64M DRAM 발
1992년 DRAM 시장 점유율 세계 1위 달성1993년 메모리 사장 점유율 세계 1위 달성1994년 256M DRAM 개발1996년 1G DRAM 개발2001년 1G 플래시 개발
2003 년 세계 최초 70나노 4기가 낸드플래시 개발
2004년 8G 플래시 개발2005년 세계 최초 50나노 16기가 반도체 개발
2006년 메모리 14년 연속 세계 1위 달성
2006년 DRAM, 15년 연속 세계 1위 달성
2006년 S램, 12년 연속 세계1위 달성
2006년 플래시메모리(전체), 5년 연속 세계 1위 달성
2007년 세계 최초 60나노급 1기가 DRAM 생산
2008년 50나노 1기가 DDR2 D램 최초 양산
2009년 세계 최초 40나노 DDR3 D램 양산
Part 1 About 삼성 반도체
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