목차
① BJT의 동작 모드
② 1개의 저항을 이용하는 간단한 BJT 바이어스 회로
③ 전압분배 회로를 이용하는 BJT 바이어스 회로
④ 자기 바이어스 회로
② 1개의 저항을 이용하는 간단한 BJT 바이어스 회로
③ 전압분배 회로를 이용하는 BJT 바이어스 회로
④ 자기 바이어스 회로
본문내용
료의 회로를 구성한다. R1 = 33kΩ, R2 = 6.8kΩ, RC = 2.7kΩ, VCC = +12V를 사용한다.
6. 베이스 노드 X와 컬렉터 노드 Y의 전압에 해당하는 VBE, VCE를 측정하여 기록한다. 이미터와 접지 사이에 전류계를 직렬 연결하여 이미터 전류 IE를 측정하여 기록한다. 또한 컬렉터 전류 IC와 베이스 전류 IB를 계산하여 기록한다.
7. 같은 방법으로 Q2, Q3의 트랜지스터에 대해 과정 6을 반복 측정한다.
8. 구해진 IC와 IB의 값으로부터 과정 4의 수식을 사용하여 각 트랜지스터의 순방향 전류 전달비 β를 구한다.
<자기 바이어스 회로>
9. 보충자료의 회로를 구성한다. RB = 360kΩ, RC = 2.7kΩ, VCC = +12V를 사용한다.
10. 베이스 노드 X와 컬렉터 노드 Y의 전압에 해당하는 VBE, VCE를 측정하여 기록한다. 또한 컬렉터 전류 IC와 베이스 전류 IB를 계산하여 기록한다.
11. 같은 방법으로 Q2, Q3의 트랜지스터에 대해 과정 10을 반복 측정한다.
12. 구해진 IC와 IB의 값으로부터 과정 4의 수식을 사용하여 각 트랜지스터의 순방향 전류 전달비 β를 구한다. 바이어스 점을 찾는다.
6. 베이스 노드 X와 컬렉터 노드 Y의 전압에 해당하는 VBE, VCE를 측정하여 기록한다. 이미터와 접지 사이에 전류계를 직렬 연결하여 이미터 전류 IE를 측정하여 기록한다. 또한 컬렉터 전류 IC와 베이스 전류 IB를 계산하여 기록한다.
7. 같은 방법으로 Q2, Q3의 트랜지스터에 대해 과정 6을 반복 측정한다.
8. 구해진 IC와 IB의 값으로부터 과정 4의 수식을 사용하여 각 트랜지스터의 순방향 전류 전달비 β를 구한다.
<자기 바이어스 회로>
9. 보충자료의 회로를 구성한다. RB = 360kΩ, RC = 2.7kΩ, VCC = +12V를 사용한다.
10. 베이스 노드 X와 컬렉터 노드 Y의 전압에 해당하는 VBE, VCE를 측정하여 기록한다. 또한 컬렉터 전류 IC와 베이스 전류 IB를 계산하여 기록한다.
11. 같은 방법으로 Q2, Q3의 트랜지스터에 대해 과정 10을 반복 측정한다.
12. 구해진 IC와 IB의 값으로부터 과정 4의 수식을 사용하여 각 트랜지스터의 순방향 전류 전달비 β를 구한다. 바이어스 점을 찾는다.
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