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DC바이어스 전압도 위와 같다.
1번 전압 측정(진폭 7.6mV)
2번 전압 측정(진폭 48.2mV)
3번 전압 측정(진폭 47.9mV)
4번 전압 측정(진폭 789.4mV)
5번 전압 측정(진폭 1.78mV)
분석 : 1번은 Q1의 게이트 전압이고 여기서 드레인이 2번이 되고 이때 증폭이 된다.
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바이어스 회로>
9. 보충자료의 회로를 구성한다. RB = 360kΩ, RC = 2.7kΩ, VCC = +12V를 사용한다.
10. 베이스 노드 X와 컬렉터 노드 Y의 전압에 해당하는 VBE, VCE를 측정하여 기록한다. 또한 컬렉터 전류 IC와 베이스 전류 IB를 계산하여 기록한다.
11. 같
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전류가 크게 영향을 받는 회로의 순서는
실험 ①회로 > 실험 ③회로 > 실험 ②회로
였다.
즉 실험 ①회로인 1개의 저항을 이용하는 BJT 바이어스 회로는 이론과 같이 트랜지스터의 β에 매우 민감한 의존성을 지닌다는 사실이 실험적으로 확
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전류에 따라 변한다 (인두열을 가했을 때 변화했음)
▶바이어스점은 βdc의 변화뿐아니라 VBE, IBo의 변화에의해서도 영향을 받는다.
▶베이스 바이어스회로의 배열은 Q점이 βDC에 따라 크게 변화하므로 안정도가 나쁘다.
▶베이스바이어스의 장
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DC 바이어스 및 동작점
바이어스 회로
DC 부하선
포화로 구동된 트랜지스터
차단으로 구동된 트랜지스터
포화와 차단으로 구동된 트랜지스터
베이스 바이어스 동작점
베이스 바이어스
베이스 바이어스 실험
트랜지스터
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