14._JFET_및_MOSFET_바이어스회로_실험(결과)

목차

1. 실험결과

2. 검토 및 고찰

3. 토의

본문내용

궤환 Bias가 사용된다.
여기서 드레인 궤환 바이어스 회로는 입력 전류 이 되므로 에 전압도 0이 되 기 때문에 는 가 되어 큰 전압( 이상 전압)을 얻을 수 있는 EMOSFET 용 바이어스 회로이다.
※ DC 해석
① : 입력전류 이므로 저항에 전압이 0이 된다.
관계식에서 저항 양단의 전압 이다.
② : : 증가형 EMOSFET의 경우
③ : 출력측에 전압 방정식 에서 를 구한다.
3. 토의
이번 실험에서는 신호를 입력시키기 전에 직류 DC를 가지고 안정된 동작점 Q의 위치를 선정하는 Bias 회로 설계에 대해서 실험하였다. 대부분의 측정값이 이론값과 비슷하게 나왔지만, 몇몇 값들은 이론값과 달랐다. 여러 가지 이유가 있었을 것 이다. 소자가 다를 수도 있기 때문에 그런 것일 수도 있고, 전류계와 전압계 내부 저항 때문 일 수도 있다. 오실로스코프의 저항 때문에 그럴 수도 있다. 또는 실험자가 실수 하였을 과실적 오차, 측정 조건의 변동, 측정자의 주의력 동요 등에 의한 우연 오차가 있을 수도 있다.
무엇보다 FET의 여러 가지 Bias 회로에 대해서 알 수 있었고, 각 Bias 마다 전압의 특성, FET의 용도에 대해 명확히 알 수 있었다.

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