목차
1. VVVF 인버터의 발전
2. 유도전동기 특성
3. VVVF 인버터의 원리
4. GTO(Gate Turn Off Thyristor)
5. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
2. 유도전동기 특성
3. VVVF 인버터의 원리
4. GTO(Gate Turn Off Thyristor)
5. IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
본문내용
동작 영역상 문제가 일어나지 않는 특징이 있습니다. 또 소수 캐리어의 축적효과가 없기 때문에 스위칭 특성이 본질적으로 우수하고 허용 접합온도가 높습니다. 더욱이 Gate가 절연이 되어서 입력 임피던스가 높아 전압제어형 구동회로가 가능하므로 회로는 간단하게 됩니다.
IGBT는 GTO에 비해 제어전력이 적고, 스위칭 시간이 짧은 특징을 가지고 있습니다. IGBT의 스위칭 시간은 GTO의 약 1/6 수준입니다. 이것은 철도차량용 인버터의 스위칭 주파수를 종례의 약 3배인 1500Hz 이상으로 할 수 있습니다. IGBT는 Gate의 제어전력을 GTO에 비해 1/1000이하 정도 작으며 전압, 전류의 안전동작 영역도 더 넓습니다. 그리고 Gate 회로가 작아지므로 스누버 콘덴서도 소용량화 되는 이점이 있습니다.
IGBT는 GTO에 비해 제어전력이 적고, 스위칭 시간이 짧은 특징을 가지고 있습니다. IGBT의 스위칭 시간은 GTO의 약 1/6 수준입니다. 이것은 철도차량용 인버터의 스위칭 주파수를 종례의 약 3배인 1500Hz 이상으로 할 수 있습니다. IGBT는 Gate의 제어전력을 GTO에 비해 1/1000이하 정도 작으며 전압, 전류의 안전동작 영역도 더 넓습니다. 그리고 Gate 회로가 작아지므로 스누버 콘덴서도 소용량화 되는 이점이 있습니다.
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