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제로 바이어스 된 D-MOSFET
② 증가형 MOSFET의 바이어스
증가형 MOSFET는 가 임계값 보다 크도록 해야 하므로 이를 실현하기 위해 전압분배 바이어스를 사용할 수 있다.
그림 14-4에 n채널 E-MOSFET의 전압분배 바이어스 회로를 도시하였으며, 바이어스의 목적은 게이트-소스 전압 가 보다 더 크게 하는 것이다. 게이트-소스 전압 는 소스가 접지이므로 가 되며 전압분배기에 의해 다음과 같이 결정된다.
--------------------------------------------(14.5)
따라서 다음과 관계가 성립되도록 바이어스 회로를 구성하면 된다.
----------------------------------------(14.6)
그림 14-4 전압분배 바이어스 된 E-MOSFET
② 증가형 MOSFET의 바이어스
증가형 MOSFET는 가 임계값 보다 크도록 해야 하므로 이를 실현하기 위해 전압분배 바이어스를 사용할 수 있다.
그림 14-4에 n채널 E-MOSFET의 전압분배 바이어스 회로를 도시하였으며, 바이어스의 목적은 게이트-소스 전압 가 보다 더 크게 하는 것이다. 게이트-소스 전압 는 소스가 접지이므로 가 되며 전압분배기에 의해 다음과 같이 결정된다.
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따라서 다음과 관계가 성립되도록 바이어스 회로를 구성하면 된다.
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그림 14-4 전압분배 바이어스 된 E-MOSFET
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