고도용수처리

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고도용수처리에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

. A 정수처리장에서 SOC 물질을 제거하기 위하여 GAC 흡착조를 설계할 예정이다. A 정수처리상의 경우 전염소 처리를 실시하고 있는 관계로 전염소가 활성탄에 의한 SOC의 흡착에 미치는 영향을 파악하기 위하여 귀하는 다음과 같은 흡착실험을 수행하였다. 즉, SOC를 100 ㎍/L 되게 제조한 플라스크 10개를 준비한 후 그중 5개의 플라스크에는 염소와 미리 접촉시킨 활성탄을 (Test 2), 나머지 5개의 플라스크에는 염소와 접촉시키지 않은 활성탄을 (Test 1) 각각 다른 양을 취하여 각 플라스크에 가한 후 equilibrium isotherm test를 실시한 결과 다음과 같은 실험결과를 구하였다. 아래의 실험 결과를 바탕으로 귀하는 어떠한 결론을 도출하여 GAC 흡착조의 설계 시 반영할 수 있겠습니까?
Table 2. Results of the experimental data
활성탄
Dosage(mg/L)
Test1 : No Exposure to Chlorine
Test2 ; After Exposure to Chlorine
(㎍/L)
(㎍/㎎)
(㎍/L)
(㎍/㎎)
1
4.8
95.1
13.8
86.3
2
2.3
48.1
6.6
46.7
3
1.5
32.8
4.3
31.9
6
0.7
16.5
2.1
16.3
12
0.4
8.4
1.1
8.2
○ Langmuir-1 식 식을 이용하여 X를 구한다.를 X축, 를 Y축으로 하여 그래프를 그린다.
○ Langmuir-2 식값을 X,,
○ Freundlich 식 식에 를 취하여 의 형태를 만들고와 값을 각각 X와 Y축으로 설정하여 그래프를 그린다.
table(1). Test 1의 각 그래프 축 값
Test 1
Ce
Ce/X
1/Ce
1/X
log(Ce)
log(X)
4.800
0.050
0.208
0.011
0.681
1.978
2.300
0.048
0.435
0.021
0.362
1.682
1.500
0.046
0.667
0.030
0.176
1.516
0.700
0.042
1.429
0.061
-0.155
1.217
0.400
0.048
2.500
0.119
-0.398
0.924
Test 2
Ce
Ce/X
1/Ce
1/X
log(Ce)
log(X)
13.800
0.160
0.072
0.012
1.140
1.936
6.600
0.141
0.152
0.021
0.820
1.669
4.300
0.135
0.233
0.031
0.633
1.504
2.100
0.129
0.476
0.061
0.322
1.212
1.100
0.134
0.909
0.122
0.041
0.914
table(2). Test 2의 각 그래프 축 값
Test 1
Test 2
,
, 이므로
,
, 이므로
이므로
이므로
흡착강도,
흡착강도,
Test 1과 Test 2의 결과를 비교해서 결론을 도출하면, Langmuir식들에서 의 의미는 활성탄의 흡착량이고 는 이다. Langmuir-1, Langmuir-2식을 사용한 결과Test 1에서 각각 ,Test 2에서 각각 으로염소 처리를 하지 않은 Test 1에서 더 많은 양을 흡착할 수 있다는 결과가 나왔다.
그리고 Freundlich식을 사용했을 때의 결과로 흡착강도를 알 수 있는데, 흡착 강도를 의미하는 이 Test 1에서 0.961, Test 2에서 0.929로 염소처리가 크게 영향을 주지 않는다고 결론 지을 수 있다.
따라서 염소처리는 활성탄의 흡착량에 영향을 주기 때문에, 활성탄 처리후에 염소처리를 해주어야 하며, 염소처리시 잔류염소가 잔류하므로 염소처리 후에도 잔류 염소에 대한 탈염소 공정이나 염소 중화제 공정이 필요하다.

키워드

고도용수처리,   정수처리,   염소처리