[기초 전자 회로실험] 다이오드 특성

소개글

[기초 전자 회로실험] 다이오드 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 목 적
2. 실험장비
　(1) 계측장비
　(2) 부품
　　•저항
　　•다이오드
　(3) 공급기
3. 실험순서
　(1) 다이오드 테스트
　　• 다이오드 테스트 스케일
　　• 저항 스케일
　(2) 순방향 바이어스 다이오드 특성
　(3) 역방향 바이어스
　(4) DC 저항
　(5) AC 저항
　(6) 점화전위
4. 토의 및 고찰

본문내용

의 곡선을 사용한 =9mA에서 Si 다이오드의 AC 저항 측정하라.
(계산치)rd = 0.074Ω
b. Si 다이오드에서 식를 이용하여 =9mA에서 AC 저항 결정하라.
(계산치)rd = 2.2mΩ
c. Si 다이오드에서 서 =2mA로 순서 a.를 반복하라.
(계산치)rd = 295Ω
d. Si 다이오드에서 =2mA에서 순서 b를 반복하라. 식(2.4)를 사용하라.
(계산치)rd = 13Ω
6) 점화전위
이론개요에서 정의된 것과 같이 다이오드 특성으로부터 각 다이오드의 점회전위(문턱전압)을 도식적으로 결정하라.
(Si)= 0.7V
(Ge)= 0.3V
4. 토의 및 고찰
실리콘과 다이오드와 게르마늄 다이오드의 특성에 대하여 실험을 하였다.
다이오드의 순방향과 역방향의 문턱전압에 대하여 실험 하였는데, 실제 전압 값이 책의 내용과 다른 이유는 다이오드를 공정 할 때 회사들 마다, 불순물 농도를 다르게 넣어 공정하였기 때문이다.
실리콘과 게르마늄 다이오드의 순방향 일 때의 전압과 전류의 관계를 실험 하였는데, 실험 방법은 브레드 보드에 회로를 설치하여, 파워 서플라이로 전압을 공급해주고, DMM으로 (1KΩ)저항에 대한 전압을(VR)을 측정하면서, 각 전압에 따른 다이오드데 대한 전압(VD)값을 측정하였고, 실제 저항값과 전압에 대한 ID를 계산하였다.
실험 결과, 교제에서 본 것과 같이, 실리콘 다이오드는 0.7V 게르마늄 다이오드는 0.3V 에서 정확히 문턱 전압을 보이지 아니 하였고 실제로는 실리콘은 0.6V이하, 게르마늄 다이오드는 0.25V정도로 약간 작았다. 전체적으로는 비슷한 모양을 가지고는 있었지만, 교제의 그래프처럼 정확하지는 않았다.
다이오드의 역방향 실험은 역방향 전류가 비교적 작을 것이기 때문에 옴의 법칙에 따라, 저항이 비교적 큰 1MΩ의 저항을 사용하여 실험 하였다. 실험 결과 역시 교제에서 나타내진 것처럼 정확하진 않았지만 비슷한 성향을 보였다. AC DC 저항 에 관한 실험은 앞에서 실험한 결과를 토대로 하여, 비교하여본 결과 DC 는 저항에서는 전류가 증가 할수록 DC 저항은 감소하였다.
이번 실험을 하면서 Ge다이오드를 실험할 때 처음에 교제에 제시된 대로 20v를 주었더니 항복현상(Break Down) 현상 이 일어났다. 우리 조 는 그 사실을 모르고 계속 실험한 결과 측정값이 제대로 도출되지 않아 전압을 10V로 낮춘 뒤 재실험 을 하여 지금의 실험 측정값을 얻게 되었다.

키워드

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