[전자회로실험] NMOS 증폭기 (결과)

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목차

실험.NMOS 증폭기

1.Orcad 결과
<공통 - 소스 증폭기>
<공통 - 드레인 증폭기>

2.오실로스코프 파형 - ( Ch1 : 입력 전압 / Ch2 : 출력 전압 )
<공통 - 소스 증폭기>
<공통 - 게이트 증폭기>
<공통 - 드레인 증폭기>

3.실험 결과 값
<공통 - 소스 증폭기>
<공통 - 게이트 증폭기>
<공통 - 드레인 증폭기>

4. 고찰

본문내용

실험.NMOS 증폭기
1.Orcad 결과
<공통 - 소스 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
<공통 - 게이트 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
<공통 - 드레인 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
2.오실로스코프 파형 - ( Ch1 : 입력 전압 / Ch2 : 출력 전압 )
<공통 - 소스 증폭기>
<공통 - 게이트 증폭기>
<공통 - 드레인 증폭기>
3.실험 결과 값
<공통 - 소스 증폭기>
1) 전압 이득 구하기
→ Av = Vo(peak) / Vi(peak) = 680 mV / 212 mV = 3.208 V
2) 입력 저항 구하기
→ ii = 0.0046mA (rms) * = 6.505 uA
→ Vi = 212mV
→ Ri = Vi / ii = 32.59kΩ
3) 출력 저항 구하기
→ it = 0.022mA (rms) * = 0.031uA
→ Vt = 212mV
→ Ro= Vt / it = 6.838kΩ
<공통 - 게이트 증폭기>
1) 전압 이득 구하기
→ Av = Vo(peak) / Vi(peak) = 650 mV / 208 mV = 3.125 V
2) 입력 저항 구하기
→ ii = 0.157mA (rms) * = 0.222mA
→ Vi = 208mV
→ Ri = Vi / ii = 0.936kΩ
3) 출력 저항 구하기
→ it = 0.0224mA (rms) * = 0.031mA
→ Vt = 208mV
→ Ro = Vt / it = 6.709kΩ
<공통 - 드레인 증폭기>
1) 전압 이득 구하기
→ Av = Vo(peak) / Vi(peak) = 420 mV / 520 mV = 0.807 V
2) 입력 저항 구하기
→ ii = 0.008mA (rms) * =0.011mA
→ Vi = 520mV
→ Ri = Vi / ii = 47.272kΩ
3) 출력 저항 구하기
→ it = 0.371mA (rms) * = 0.524mA
→ Vt = 520mV
→ Ro = Vt / it = 0.992Ω
4. 고찰
이번 실험은 NMOS 증폭기에 대한 실험이었다.
NMOS 증폭기의 공통-소스 증폭기, 공통 - 게이트 증폭기, 공통 - 드레인 증폭기의 특성에 대한 입,출력 전압 파형 측정 및 입력 저항과 출력 저항을
측정 하는 실험 이었다.
실험 할 당시에 회로를 꾸미고 오실로스코프로 파형을 측정하려고 할 때
오실로스코프의 프로브를 전용 프로브를 사용하지 않아서 처음에 파형이 나오지 않았고, 프로브에서 X1로 해야하는데 X10으로 놓고 했더니 파형이 나오질 않았다. 조교 선생님께 물어봐서 해결 할 수 있었다. 다음부터는 이런 실수를 하지 않을 것이다.
증폭기의 특성에 따라서 증폭도의 차이가 다소 있음을 알 수 있었고 실험 값들이 이론 값에 비해 그리 크지 않은 차이를 나타내었다.
실험을 하면서 증폭기가 어디에 사용 되는지에 대해서 배울 수 있던 좋은 경험이었다.

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