반도체공정 실험 - Photo Lithography

소개글

반도체공정 실험 - Photo Lithography에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

본문내용

1. 실험 목적

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.

2. 실험 방법

우선 우리는 노광시간에 따른 PR패턴을 비교 분석을 하기 위해 각 시편을 2초,5초,10초로 달리 하여 진행하였다. <그림 1>에서 보다시피 2초간 노광을 진행한 시편은 충분하지 못한 반응시간으로 인해 감광제가 충분히 제거 되지 못하였고, 약 5초간 진행된 시편에서는 우리가 의도한 PR 패턴이 나타났다. 10초간 진행된 시편에서도 우리가 원하는 패턴과 유사한 모양의 패턴이 나타났지만 과도한 노광 시간으로 인해 의도한 두께 보다 두꺼운 결과가 나오게 되었다. 우리는 이 결과값을 바탕으로 우리가 의도한 두께의 패턴을 가진 시편을 만들고자 할 때 적절한 노광시간을 채택하여 보다 정확한 시편을 만들 수 있을 것이다. 그리고 반도체 공정에서 가장 중요한 것은 클린룸 내 particle 제어와 시편에 붙어있는 불순물 제거인데 이번 실험에서 불순물 제어를 용이하게 하지 못해 몇 개의 시편에서는 <그림 2>와 같은 결과를 얻게 되는데 이는 공정이 진행됨에 따라 결함으로 작용하고 이로 인해 최종 제품이 동작을 안 하거나 오류를 일으키게 될 수 있다. 반도체 칩 공정에서는 위와 같은 공정이 1회가 아닌 필요에 따라 수회-수십회 진행이 되므로 한 공정에서 생기는 불량품의 개수가 1%라고 가정을 하여도 최종 제작품의 수득율은 상당히 감소 할 것이다. 그러므로 우리는 공정상의 불순물 제어를 더욱더 철저히 해야 할 것 이다고 생각된다.

키워드

반도공정 실험,   : Photo Lithography,   cleaning & Oxidation ,   반도체 공정 실험