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결국에는 PR Pattern만 남게 되는 것이다. *포토 리소그래피 (Photo Lithography)
*포토 레지스트 (Photo Resist)
*마스크 어라이너 (Mask Aligner)
*코팅 (Coating)
*노광 (Exposure)
*현상 (Development)
*스퍼터링(Sputtering)
*리프트 오프(Lift-off)
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Photo 공정이 이루어지는 곳은 Yellowroom이라 하며 방 전체가 노란색이다. 이유는 노광 작업시 다른 빛이 들어와 패턴 훼손을 최소화 하기 위해
Photo Resist
Photo Resist ?
반도체 제조 시 웨이퍼 표면 위에 미세한 회로를 그리기 위한 포토
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특징이 있어 Photolithography 공정에 이용된다. 1. 반도체 기판 세척 및 산화 공정
2. 감광액 도포 공정
3. SOFT BAKING
4. 노광 (EXPOSURE) 공정
5. 현상 (DEVEIOPMENT) 공정
6. HARD BAKING
7. 식각(ETHCHING) 공정
8. Photolithography와 Dip-Pen lithography
9. 용어설명
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로
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Cleaning한 후 Chamber를 내림)
(2)Process STB(Process Stand by)
(3)Process
(4)Boat Out
(5)System Stb
3. Photo Lithography
(1) Spin Coater 사용법
(2) Photo Resist(PR 용액 접합)
(3) Mask Aligner 사용방법
(4) PR Develop
4.RIE 장비 사용 (Dry Etching)
5. PVD(Physical Vapor Deposition)
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리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
반응성 이온 식각공정을 위한 패턴 형상, 즉, 최저면에서 실리콘 웨이퍼의 면이 드러나고, 최저면과 최고면의 대조비가 큰 형상을
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