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반도체 공정에서 가장 중요한 것은 클린룸 내 particle 제어와 시편에 붙어있는 불순물 제거인데 이번 실험에서 불순물 제어를 용이하게 하지 못해 몇 개의 시편에서는 <그림 2>와 같은 결과를 얻게 되는데 이는 공정이 진행됨에 따라 결함
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Cleaning한 후 Chamber를 내림)
(2)Process STB(Process Stand by)
(3)Process
(4)Boat Out
(5)System Stb
3. Photo Lithography
(1) Spin Coater 사용법
(2) Photo Resist(PR 용액 접합)
(3) Mask Aligner 사용방법
(4) PR Develop
4.RIE 장비 사용 (Dry Etching)
5. PVD(Physical Vapor Deposition)
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결국에는 PR Pattern만 남게 되는 것이다. *포토 리소그래피 (Photo Lithography)
*포토 레지스트 (Photo Resist)
*마스크 어라이너 (Mask Aligner)
*코팅 (Coating)
*노광 (Exposure)
*현상 (Development)
*스퍼터링(Sputtering)
*리프트 오프(Lift-off)
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Photo-imagible Dielectric Material이 개발되면 Lithography 공정을 6 단계에서 3 단계로 줄일 수 있고 아울러 사용되는 많은 양의 chemical과 gas의 양을 줄일 수 있어 반도체제조 공정과 연관된 환경부담을 크게 줄일 수 있다.
제4 분야는 반도체제조 설비 및
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실험방법 :
① ITO 기판의 Cleaning(전처리)
② Spin coater위에 기판을 올려놓고 진공을 잡아 고정시킨 후, photo resister를
뿌려 전면에 고르게 코팅
③ PR coating 후 잔류용매를 제거하고 기판과의 접착력을 높히기 위하여
soft baking(100℃, 10분) 실시
④
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