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반도체 공정에서 가장 중요한 것은 클린룸 내 particle 제어와 시편에 붙어있는 불순물 제거인데 이번 실험에서 불순물 제어를 용이하게 하지 못해 몇 개의 시편에서는 <그림 2>와 같은 결과를 얻게 되는데 이는 공정이 진행됨에 따라 결함
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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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1. 실험 목적
2. 실험 방법
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정)
3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를
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공정실험 / 부산대학교 화학공학과
www.chemie.fu-berlin.de/~pcprakt/tds.pdf
TPR 실험기법을 이용한 촉매연구 - 김영호, 이호인
TPR/TPO 실험기법을 이용한 전이금속산화물의 산화.환원 특성 연구 / 김영호, 이호인
Temperature-programmed reduction and oxidation experime
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공정실험, 실험 2 액상 유동화실험
[2] 유체 역학, 부정숙 외 , 반도출판사, 1997년, p. 599-603
[3] 유체 역학, 고원역 외, 선 문 당, 1995년, p. 198-204
[4] 순환유동층의 소개 (2), 송병호, 군산대, 2004년, p.1-7 1.Introduction
1.1. 고정층과 유동층
1.2. 유
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실험하였다는 것을 알게 되었습니다. 그래서 주변 온도를 낮춰 실험 한 결과 수율을 75%까지 끌어올렸습니다.
->3개월이내 [반도체쪽이면좋을듯]
->메모리구조?
->나의 견해가 들어갈 것
->관심분야쪽
그리고 Cleaning공정에서 반도체 세
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실험 방법.
-> COD를 측정하는 방법은 여러 가지가 있는 것으로 아는데 일단 제가 학교에서 했던 실험 방법을 기준으로 말씀드리겠습니다.
일단 워터배스를 100도로 설정해서 예열하고 예열되는 동안 둥근 플라스크에 시료를 넣습니다. 그리
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