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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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반도체 공정에서 가장 중요한 것은 클린룸 내 particle 제어와 시편에 붙어있는 불순물 제거인데 이번 실험에서 불순물 제어를 용이하게 하지 못해 몇 개의 시편에서는 <그림 2>와 같은 결과를 얻게 되는데 이는 공정이 진행됨에 따라 결함
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가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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배재흠, 수원대학교 화공생명공학과
다. 기사
Vapor Phase Cleaning : How It Works and What Can Go Wrong by Jay Tourigny and Michael Jones, Micro Care Corporation, New Britain, CT USA 1. 실험주제
2. 실험목적
3. 실험장소
4. 실험기자재
5. 실험방법
6. 참고문헌
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반도체소자 에 대해 실험하여 전공에 대한 관심도 더욱 커졌다.
-참고문헌 : * 신소재기초실험 OXIDATION(산화공정) 프린트
* 신소재기초실험 Ⅰ(Text Book) , 국민대학교 공과대학 신소 재공학부, P. 21~ P. 33 제목 : 산화 공정 (Oxidation)
목적
이론
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LED의 전반적인 설명과
LED의 제조공정방법에 대한 내용이 수록되어 있습니다. 1. LED의 실험배경 및 목적
2. LED란 무엇인가?
3. LED의 특징 및 응용분야
4. LED PKG제조공정 및 성능 비교 실험
5. 실험 일정
6. 참고자료
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실험하였다는 것을 알게 되었습니다. 그래서 주변 온도를 낮춰 실험 한 결과 수율을 75%까지 끌어올렸습니다.
->3개월이내 [반도체쪽이면좋을듯]
->메모리구조?
->나의 견해가 들어갈 것
->관심분야쪽
그리고 Cleaning공정에서 반도체 세
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공정 변수를 도출하였습니다. 이를 통해 기존 대비 이동도를 30% 향상시키는 결과를 도출하였으며, 연구 논문을 학술대회에서 발표하는 성과를 거두었습니다.
이러한 경험을 바탕으로, 저는 삼성전자의 반도체 공정설계 직무에서 차세대 반
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공정에서는 예상치 못한 불량이 발생할 수 있으며, 이를 해결하기 위해서는 데이터 기반의 분석과 협업이 필수적입니다.
- 본인의 강점이 삼성전자 반도체 공정기술 직무에서 어떻게 발휘될 수 있을까요?
공정 최적화 연구 경험과 실험 설계
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언어’로 풀어내는 것도 공정설계자의 중요한 역할임을 체감하게 해준 계기였습니다. 삼성전자 내 협업 역시 이러한 소통 기반 설계가 필요하다고 생각합니다. 2025 삼성전자 DS부문 메모리사업부_반도체공정설계 면접 예상 질문 및 답변
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공정 안정성을 극대화하는 최적의 변수를 도출하였습니다. 그 결과, 기존 공정보다 20% 이상의 패턴 정렬 오차를 감소시키는 성과를 얻을 수 있었습니다.
이러한 경험을 바탕으로, 저는 삼성전자 CTO 반도체연구소에서 차세대 반도체 공정 기
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