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제는 대기압 산화에서와 같다.
(4) 산화공정 시스템
웨이퍼 세척 → 산화 → 표면 검사 → 측정 → 마스킹
3) Dry Oxidation과 Wet Oxidation의 차이점
Dry Oxidation : Si + O₂→ SiO₂
Wet Oxidation : Si + H₂O → SiO₂+ 2H₂
Dry Oxidation의 경우 매우 높은 순도의 Oxyg
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가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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산화 : Si + O2 → SiO2
약 1000℃에서 산소에 silicon을 노출시킴으로써 수행된다.
0.05㎛의 얇은 층에서 high quality를 제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두꺼운 o
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Oxidation : SiO2 입혀주기
포토리스그라피 반복
PR 도포
Soft Baking 10분
노광 : Align Key 사용하여 정확한 위치
Develop DI water
Hard Baking 10분
뒷면 Taping
금속(Al 1500Å) 올리기 과정
Evaporator 진공 10^-6까지 30~40분 소요
PR 도포
Soft Baking 10분
노광
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SiO2 Thin Film (Oxidation)
(3) Aluminum
(4) Electronic Balance
(4) 4-Point Probe(CMT-SERIES)
(5) Stylus (Alpha Step 500)
(6) 광학현미경
박막 증착 장비
박막 분석 장비
Thermal Evaporator
4-Point Probe
Stylus(Alpha Step 500)
4. 실험방법
(1) 전자저울을 이용하여 0.1g, 0.2g의 알루미늄을
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