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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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산화막으로 많은 연구가 수행되고 있다.
3. REFERENCE
http://optics.hanyang.ac.kr/~shsong/hitechphysics-note/plasma/17.htm
http://www.postech.ac.kr/ce/lamp/
http://mse.hanyang.ac.kr/ulsi/
http://www.law.hanyang.ac.kr/~hjeon/members.htm 1. 반도체 공정에서 산화실험이 필요한 이유
2.
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공정조건의 제어범위가 매우 넓어서 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 좋은 step coverage를 갖는 등의 특성이 있기 때문이다.
※이론적 배경
CVD는 반도체의 제조공정 중에서 가장 중요한 기술의 하나이다. 역사적으로는 19
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산화법
④ CVD (chemical vapor deposition)
⑤ 액상 에피탁시법
⑥ Langmuir-Bliogett막 형성법
⑦ 흡착방법
(2) 진공 증착
① 물리적 기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지
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다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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