재료의 산화실험

목차

1. 반도체 공정에서 산화실험이 필요한 이유

2. 반도체 공정에서 Si 기반 어느부분에서 산화를 쓰는가??

본문내용

주는 인자들이 있는데 그중에서 온도와 압력을 들 수 있다. furnace temperature (온도)가 상승하면 확산계수의 증가로 인해 oxide 성장속도가 증가하게 되고 Pressure (압력) furnace의 압력이 높으면 oxide 성장속도가 증가한다. Si와 열적으로 안정한 특성을 가지고 있기에 차세대 게이트 산화막으로 많은 연구가 수행되고 있다.
3. REFERENCE
http://optics.hanyang.ac.kr/~shsong/hitechphysics-note/plasma/17.htm
http://www.postech.ac.kr/ce/lamp/
http://mse.hanyang.ac.kr/ulsi/
http://www.law.hanyang.ac.kr/~hjeon/members.htm

키워드

반도체산화공정,   산화,   산화실험