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실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드의 용도
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NR=2 BV=100.1 IBV=10 TT=4.761E-6)
.end
r=100k일 경우
r=10k일 경우
r=1k일 경우
r=100Ω일 경우
r= 10Ω일 경우 1.반파정류회로
2.전파정류회로
3.브리지 회로
4.리미티 회로
5.전압배가기
6.클램프 회로
7.제너다이오드특성
8.피크정류기
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반파정류회로 (b) 입력파형 (c) 출력파형
III. 실험방법
실험 A는 다이오드의 전류-전압 특성 측정실험이다.
다이오드 전류-전압 특성실험회로를 구성한 다음 직류전원 공급장치의 전압 조절기를 0V에 두고 정원을 가하여 오실로스코프나 멀티메
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특성을 구한다.
그림 7> capacitor filter를 사용한 브릿지 정류 회로
3) 리플 전압의 측정 : 출력 전압이 입력되는 오실로스코프 채널의 입력 coupling을 AC로 두고 리플 전압을 측정한다.
5. 결과 및 분석
회로명
V _{out}
DC(V)
ripple
반파
정류
회로
99.8mV
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다음과 같다.
(3) 변압기를 포함한 반파정류회로
변압기의 2차 전압이 정의 반주기(가 +)일 때 다이오드 은 순방향 바이어스가 되며, 따라서 전압원에 대하여 매우 낮은 저항값을 나타내므로 2차 전압의 대부분이 부하저항 양단에 나타난다.
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반파 정류된 파형이라 한다.
반파정류회로에서의 출력파형은, 다이오드를 양단에 걸린 전압에 의존하는 저항이라고 생각하여 구할 수 있다. 즉
③
이라 하자. 이상적인 다이오드에서 Rf 0 이고, Rr 이다. 그러면, 출력전압은
④
이 되어, 그림
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회로
여기서 vi1(t) = vi2(t) = Vm sinωt라고 했을 때 입력파형과 출력파형을 그림2-2 (b)에 나타내고 있다.
이상적인 다이오드일 경우 전파정류를 사용하면 정류된 출력전압의 평균값 Vave은 다음과 같이 구할 수 있다.
전파정류의 평균값은 반파정
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정류에 쓰이는 단상 브리지 정류회로도 있다. 교류브리지는 임피던스 측정 외에도 주파수 측정 등에 많이 이용되고 있다.
5. 실험 결과
1)반파정류 출력물: 원래 아래위로 왔다갔다하던 파형이 위에서 조사한 실험관련 이론처럼 위의 부분만
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정류회로에 트랜스를 사용하는 2가지 이유를 들어보아라.
2. 반파 정류회로에서 다이오드의 PIV는 필터 회로를 사용하지 않는다면 변화하는가?
그 이유는?
3. 리플 전압을 계산함에 있어서 측정된 리플 전압은 VAC로 변환되어지고 VDC와 비교되
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실험 1. 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험
1. 실험 목적
반도체 다이오드의 특성을 실험적으로 구하고 다이오드 응용 회로인 반파정류회로의 동작 원리 및 출력 파형을 관찰하고 측정한다.
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
다이오
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