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1V
OPEN
1N4004
0.473V
OPEN
제너 다이오드
1N4773
0.625V
4.669V
2. DMM을 이용한 저항, 캐패시턴스 측정
소자
규격
측정 값
저항
99.7
218.6
218.8
469.7
0.9863k
2.1928k
9.94k
9.92k
캐패시터
9.97
9.96
9.97
250옴저항이 없어서 220옴으로 대체
■ 실험회로 2 : 반파 정류 회로
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1의 위치에 두었다가 2의 위치로 바꾸고, 그 이후의 VL의 파형을 관찰하여 표5에 기록한다.
(6) R을 삽입하고 (5)를 반복하여, 그 결과를 표5에 기록한다.
[그림4 클램핑회로 실험회로]
4. 실 험 결 과 사항
(1) 다이오드의 정류작용
파 형
첨두치()
-10
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실험 1. 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험
1. 실험 목적
반도체 다이오드의 특성을 실험적으로 구하고 다이오드 응용 회로인 반파정류회로의 동작 원리 및 출력 파형을 관찰하고 측정한다.
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
다이오
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및 고찰
이번 실험은 다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류회로에 관한 실험으로 실험 1장에서의 다이오드의 순방향 바이어스 전류 통과 특성을 이용하여 결과 값을 도출해 내는 실험이다. 먼저 첫 번째 실험 반파 정류회로의 결과를 보면 교
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실험 20. 정류회로
[1] 측정값
회로 특성 : = =
다이오드의 특성 :
순방향 저항
역방향 저항
실험 1 변압기의 특성
변압기의 입력 및 출력 전압(피크 값, 진폭):
입력전압 = 4.967V
출력전압 = 2.42V = 2.476V
- 출력전압 , 출력전압
실험 2 반파정류회
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