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1V
OPEN
1N4004
0.473V
OPEN
제너 다이오드
1N4773
0.625V
4.669V
2. DMM을 이용한 저항, 캐패시턴스 측정
소자
규격
측정 값
저항
99.7
218.6
218.8
469.7
0.9863k
2.1928k
9.94k
9.92k
캐패시터
9.97
9.96
9.97
250옴저항이 없어서 220옴으로 대체
■ 실험회로 2 : 반파 정류 회로
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및 고찰
이번 실험은 다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류회로에 관한 실험으로 실험 1장에서의 다이오드의 순방향 바이어스 전류 통과 특성을 이용하여 결과 값을 도출해 내는 실험이다. 먼저 첫 번째 실험 반파 정류회로의 결과를 보면 교
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1.4
0.267
입력전압
출력전압
- 분석
S3가 Open 상태이므로 이 회로는 다이오드를 1개를 사용한 반파정류회로와 등가이다. 1장에서 분석한 반파정류회로의 결과특성과 같다. 그리고 변압기의 비가 1:1(실제 실험에서도 동일한 저항을 연결하여 분배
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1.865V
오차율 = 8.4%
k. 두 다이오드를 저항으로 교체 후의 주요 효과는 무엇인가?
엠플리튜드가 낮아졌다.
2. 실험 결과 및 검토
이번 실험은 다이오드의 특성을 이용하여 정류 회로를 꾸며보고 각 정류회로의 특성을 살펴보았다. 반파정류기에
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회로의 특성을 알 수 있듯이 파의 형태를 보고 우리는 유추도 해 낼 수도 있어야 하겠다.
결과 3-6 브리지 전파정류회로
실험 목적
다이오드 브리지 회로를 사용한 전파 정류회로의 특성을 조사한다.
▣ 결과 값 및 종합 검토/논의
1. 브리지
제너 다이오드의 로우딩, 반파 정류회로, 브릿지 전파 정류회로, 제너 다이오드의 로우딩 반파 정류회로, 실험(3) 결과 3-3,4,6제너 다이오드의 로우딩,반파 정류회로,브릿지 전파 정류회로,,
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