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a = 203.125, υo/υi = 8.125, ,
5. 고찰
이번실험은 BJT를 이용한 첫 실험 이였습니다. 이전 다이오드등의 실험보다 훨씬 계산식도 많고 소자를 이해하는데 어려움이 있어 예비보고서를 참 어렵게 준비하였었는데 확실히 준비에 오랜 시간을 투자 한
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A)
β
결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고정바이어스 회로
그림 3-2
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
3.29V
2.59V
13.17V
10.58V
3.82
3.79
22.10
171
.49
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이
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예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1-a : BJT 전류-전압 특성
NPN BJT 의 직류 전류이득 βDC 계산값
직류 전류이득 βDC (계산 값)
10
1.374
137.40
20
2.981
149.05
30
4.629
154.30
40
6.276
156.90
50
7.905
158.10
60
9.509
158.48
70
11.085
158
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전압에 민감한 JFET 특성 때문에 핀치오프전압 및 포화 전류의 값이 계산값과 측정값에서 오차가 발생한다.
7. 토의 및 고찰
1. IDQ와 VDSQ는 책에서 주어진 값을 사용한 뒤 저항을 결정하여 구성한 회로로 실험결과를 내놓았을 때, 차이가 있는 결
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결과를 비교 설명하라.
2.3.3 실험 결과
트랜지스터 1
트랜지스터 2
0.645V
0.637V
4.80V
5.12V
1.11mA
1.04mA
6.11μA
6.59μA
1.116mA
1.046mA
181.7
157.8
0.042
0.04
4326.2
3945
전압
PSPICE 측정값
전류
PSPICE 측정값
0.726V
1mA
6.7μA
5.28V
1mA
위의 실험 결과표와 예비보고사항에
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