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회로의 총 저항 Re= 3.33kΩ이므로 전류 i를 구하면 10/3.33=3 [mA]가 된다. 이제 전류를 분배시키면 R3과 R4쪽으로 흐르는 전류는 전류분배법칙에 의해 3*(1/3)=1mA이다. 그러므로 AB의 개방전압은 R4에 걸리는 전압과 같기 때문에 Vo=2k*1m=2[V]가 된다. 단락
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gage)가 있다.
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실험기기 및 부품 ☆
① 미지의 색저항, 미지의 콘덴서
② 전원공급장치
③ 저항상자
④ 저항
⑤ 가변저항
⑥ 직류전류계
⑦ 직류전압계
⑧ 테스터, 스위치, 검류계
☆ 실험과정 ☆
6-1 테브난, 노턴 정리
가. 그림 2-6의 회로도
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전압 3.588V 3.958V 4.46V
전류 57.3μA 48.6μA 36.3μA
2) 노턴 등가회로
V, R1, R2, R3, RL 값은 실험 1과 동일하게 설정하였으며 각각의 저항에 걸리는 전압, 전류의 측정값은 다음과 같다. 1. 실험 측정치
2. 결과
3. 실험 결과 고찰
4. 결론
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회로를 실험을 통하여 노턴의 등가 회로를 그리고 표에 기록하시오
1)이론으로 구한 노턴의 등가회로
1단계 : 부하()을 (개방, 단락) 시킨다.
2단계 : 을 구한다.
3단계 : 을 구한다. 전원은 (단락, 개방) 시킨다.
4단계 : 과 을 병렬로 연결 후 부하
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회로에서의 의미는 open 상태와 같다고 볼 수 있을 것이다. 따라서 다이오드 저항은 무한대로 볼 수 있다. 계산한 다이오드의 저항값과 옴메타로 측정한 저항값에 있어서 Si의 경우 적은 오차가, Ge의 경우 큰 오차가 있었다. 실제 실험 장비를
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회로이론 시간때에는 그 사실을 계산으로 증명하였기 때문에 쉽지 않았고 시간도 오래걸렸다. 물론 계산에서 실수도 있었고 그 때문에 제대로 중첩의 원리를 이해하기 힘들었다. 조금 더 공부를 해서 저번에 들었던 기초회로 실험의 프로젝
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현재 값으로 평형이 될 수 없다.브리지가 평형을 이루려면 arms의 설정을 바꾸어야 한다.
5.참고문헌
*신회로이론 박송배 문전당
*기초회로 실측에 기초한 전자전기 실험
-홍순관 도서출판 글로벌 브리지회로 실험 보고서
목차 없엄...
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V1 (V)
V2 (V)
V3 (V)
5
0.35
1.15
3.52
10
0.72
2.26
7.01
15
1.08
3.43
10.62
6. 고 찰
키르히호프의 법칙을 이용하여 각종 직병렬회로의 저항값과 전류값을 알아볼 수 있었다.
실험1에서 한 노드의 전체 전류합이 0임을, 실험2에서 한 브랜치(branch)의 전체 전압의
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실험에 반영한다면, 실험의 질이 향상될 것이다. 이러한 개선점들은 향후 비슷한 실험을 진행할 때 큰 도움이 되며, 실험의 목표를 보다 명확히 하고 성공적인 결과를 도출하는 데 기여할 것이다.
10. 실험 장비 목록
4비트 산술논리회로의 실
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기초전자회로, 정용성 저, 도서출판정일, 2005
전자회로의 기초, 강중순 김상진 안기형 이재곤 공저, 북스힐, 2002
전자회로, 정민수 외 6명 공저, 복두출판사, 2006 1.실험 목적
2. 질문
1) Bipolar Junction Transistor
2) BJT 증폭기 회로 해석을 위
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