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회로
-RC회로
Vo(t) = Vc(t) = 1/C ic(t) dt = 1/C VR(t)/R dt 1/RC Vi(t) dt for VR(t) ≫ Vi(t)
-RL회로
Vo(t) = VR(t) =Ri(t) = R/L VL(t) dt R/L Vi(t) dt for VL(t) ≫ VR(t)
3. 실험 방법
(1)RC미적분 실험 회로에서 R1=R2=100㏀, C1=C2=0.001㎌을 위치시키고 신호발생 기를 이용하여 1
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실험 방법)
Ⅱ.본론
1. RC회로 이론적 해석
2. CR회로 이론적 해석
3. RC회로 과도응답
4. CR회로 과도응답
Ⅲ.결론
1. 입력과 출력비, 위상의 이론값과 실험값 비교 (, 값 비교)
2. Matlab을 이용한 실험 wave 증명 및 결과값 해석(Low, High pa
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=Xc)
CT(실험값)
CT(이론값)
LCR미터 측정값
3) RC 직렬회로의 특성
캐패
시터
Xc
(계산)
VR
VC
I[mA]
Z
(이론값)
Z
(실험값)
Vs
0.47uF
0.22uF
5. PSpice 시뮬레이션 예비보고서
1. 실험의 목적
2. 실험을 위한 기초 이론
3. 실험방법
4. P-spice 시뮬레이션
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된 것 같다.
또 주파수의 값에따라 출력 전압의 값이 바뀌는것도 신기하기도 하고 많은 도움이 되었다. 1.실험의 목표
2.기본이론(RLC직,병렬공진회로특성)
3.사용기기와부품
4.실험내용과방법
5.결과값및 이번실험을 통하여느낀점
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RC회로와 RL회로의 전달함수의 크기와 주파수특성을 실험적으로 구할 때 측정주파수를 각각에 대해 결정하라. (실험계획 3.2, 3.6 참조. 예 : 100, 200, 400, 600 ㎐ 등, 그러나 변화가 많은 부분에서는 주파수 간격을 작게 해야 한다.)
초기 30㎑까지 곡
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진리표를 가지고서 측정값과 비교를 해주면 되겠다.
2 - (1)
NAND 게이트를 이 ●실험에 관련된 이론
●실험 방법 및 유의 사항
●참고문헌
●실험 회로 및 시뮬레이션 결과
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초가 다르게 나올수 있다는 것도 알수 있었다. 정확한 값을 구하려면 반복해서 실험하여 근사치를 구하는게 최선이라는 것을 알수있었다. 1.사용 장비 및 부품
2. 실험 방법 및 결과
-실험 1 저항
-실험 2 커패시터
3.결론
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기초전자회로및실험 4조 Project인
“전자주사위” 제작을 마치도록 하겠습니다. 목차
1. 제목
2. 팀구성
3. 작품 선정 및 배경 및 목적
4. 회로도
5. 주요 소요 부품 및 예산 지출
6. 일정
7. 작품 제작과정
8. 고찰 및 향후 발전
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회로의 임피던스를 구하라.
확인문제 3. R = 5 [Ω], L = 100 [mH]로 이루어진 직렬회로에 60 [hz] / 220 [V]의 AC전압을 가했을 때 회로의 임피던스 Z[Ω]와 전류 I[A]를 구하라 . 1. 준비물
2. RL 회로
※ RL회로의 과도상태와 정상상태 식 유도
확인문제
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실험 도구 및 장비
- 전원공급기
- 브레드 보드
- 저항(2.2kΩ, 3.3kΩ, 1kΩ)
- 멀티미터 Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 실험 1
(1) PSpice 모의실험
(2) 실험 도구 및 장비
(3) 실습 및 결과
(4) 분석 및 고찰
Ⅲ. 실험 2
(1) PSpice 모의실험
(2) 실험 도구 및
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