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, 트랜지스터의 VBE = 0.7V 이다) 1. 목적
2.예비지식
a. 대신호 동작
b, 소신호 동작
c. 정전류 전원
3. 준비
3.1 대신호 동작
3.2소신호 동작
4. 기기 및 부품
5. 실험
5.1 대신호 동작
5.2소신호 동작
6. Pspice 실험결과
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및 시뮬레이션 결과
위의 그림 8에서와 비슷한 회로도를 이용하여 작성한다..
그림 10
참 고 문 헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍
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미적분 회로
1. 목적
- 전압, 전류의 충전과 방전 특성이해, 1차 과도 응답 회로의 시정수의 개념 이해,
RL. RC의 회로로부터 미분회로, 적분회로의 구현과 원리 이해를 실험적으로 확인한다.
2. 관련이론
1. 캐패시터의 전류, 전압특성(전압 충
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실험값
이론값
오차
1206
0.488
0.0020
45
1297
0.462
1143
0.465
1171
0.468
5. 분석 및 토의
① 같은 전류값에서 RL, RL, RLC 회로의 위상각을 비교하여라
Sol) 위상각은 같은 전류값에서 RC, RLC, RL의 순으로 작이짐을 볼 수 있었다.,
② 또 전류값이 증가함에 따라
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물리학, 대학 물리학 교재 편찬 위원회, 북스힐
두산 세계 대백과사전 EnCyber
일반물리학(Sixth Edition), Halliday, Resnick, Walker 저, 범한서적, 2002
일반물리학, Edwin R. Jones 저, 북스힐, 2000 1. 측정값
2. 결과 및 토의
3. 참고문헌
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이끎개와 축전지가 함께 있는 경우는 어떤 적절한 떨기수에서 임피던스가 최소가 되게 되는데 이를 껴울림 떨기수라고 하며
f = w over 2pi = 1 over {2pi root{LC}}
가 된다. 1.실험 목적
2.실험 원리
3.실험 기구 및 재료
4.실험방법 및 구상
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실험으로 생각되어, 과목을 수강 시 많은 도움이 될 것 같다.
10. 참고문헌
가. 서적
반도체 공정기술, 황호정 저, 생능출판사
공정플라즈마 기초와 응용, Alfred Grill 저, 정진욱 역, 청문각
직접회로 제조를 위한 반도체공정 및 장치 기술 , 이
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생각하는가? 11장 예비 레포트…………………………………8p
Ⅰ. 배경 이론
Ⅱ. 설계 실습 계획
Ⅲ. 결론
11장 결과 레포트…………………………………6p
Ⅰ. 실험 목적 및 동기
Ⅱ. 설계실습내용 및 분석
Ⅲ. 결론
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RL 및 다이오드 양단간의 전압을 오실로스코프로 관찰하고 파형을 도시하라.
④ DMM을 사용하여 RL 양단의 전압을 측정하라.
4. 참고문헌
-기초전자공학실험 (김용연,외 양서각, 1999)
-최신기초전기전자실험 (김지홍외 , 동일출판사 ,1995)
-전기전
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회로의 특성들을 실험으로 확인하고 시뮬레이션도 해볼 수 있었다. 이러한 과정에서 여러 실험 기구의 조작에 더 익숙해질 수 있었고, Pspice 프로그램의 사용에도 조금 더 능숙해졌으며, 무엇보다 RL회로와 RLC 회로를 이해해는 데 많은 도움이
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