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실험에서는 피드백 회로의 저항을 계산하는 것이 아니라, 커패시터와 직렬로 연결된 저항으로 구하는 것이므로 실험을 통하여 확인하여 본다.
3. 데이터시트
4. 실험
6. 실험결과
7. 오차 및 분석
- 이번 실험에서는 실험 결과가 예상 이론값과
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실험 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정
소자
규격
측정 값
저항
1k
1.003k
2k
1.9576k
3.7k
3.857k
7.5k
7.52k
10k
9.96k
10k
10.008k
10k
9.982k
10k
9.987k
4k과 8k 저항이 없어 3.7k과 7.5k으로 대체하였다.
■ 실험 2 : ELVIS II를 이용해서 연산증폭기의 A/D 변환기 회로 측정
1)
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G. S. Ohm(옴)이 발견
전류의 세기는 두 점 사이의 전압에 비례하며 저항에 반비례한다는 법칙
전압의 크기를 V 전류의 세기를 I, 전기저항을 R이라 할 때,
V=IR의 관계가 성립한다. 1.목표
2.배경지식
3.원리
4.설계
5.결과
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설계 및 구현
1. 설계개념
최대한 여러 개의 컴포넌트를 따로 구현하여 컴포넌트를 합치면서 설계한다.
컴포넌트로는 7segment , key입력 컴포넌트, piezo컴포넌트 dot matrix컴포넌트, lcd컴포넌트 , 디지털 시계 컴포넌트가 있으며 이들을 전부 합
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
28 uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
4.654mA
■ 모의실험회로 1-2 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422
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론
시뮬
측정
12V
12V
12.757V
0A
0A
0.00005A
-12V
-12V
-11.307V
1.7uA
1.776uA
0.00005A
■ 실험회로 2 : BJT AB급 전력증폭기 회로
- 실험 결과 그래프 및 표 :
이론 값
시뮬레이션
측정 값
3.1mV
3.118mV
6.845mV
526.4mV
526.862mV
0.5622V
-520.8mV
-526.862mV
-0.5623V
845.0uA
845.846uA
0.00
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결과 보고서
실험 제목: 다이오드 응용 회로 I
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험1 : DMM 이용한 소자 값 측정
1. DMM을 이용한 다이오드 전압
소자
규격
측정 값
순방향
역방향
다이오드
1N4004
0.475V
OPEN
1N4004
0.476V
OPEN
1N4004
0.471V
OPEN
1N4004
0.473V
OP
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실험은 전파 전압 체배회로와 직렬 반파 전압 체배회로에 대한 실험이었다. 우선 체배회로가 예전에 110/220V의 겸용 시절에 사용했던 것이라는 사실에 매우 놀랐다. 어떻게 이런 생각을 할 수 있었을까? 라는 생각이 드는 실험이었고, 모르는
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회로의 이득이며, 은 폐루프 임계주파수라면, 다음 식이 성립한다.
2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 연산증폭기의 반전 증폭기 회로(시간영역)
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
[dB]
임계주파수
GBP
1
1
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 연산증폭기 입력 바이어스 전류 측정
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
시뮬레이션 값
비반전 입력 전압
-6.862
반전 입력 전압
-9.108
■ 모의실험회로 2 : 연산증폭기의 출력과 입
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