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저항과 전압이 측정되면, 전기 기초 실험장치에 있는 가변저항 스위치를 100으로 놓는다. 그리고 저항이 100일EO 전압이 측정되면 200으로 놓는다.
7. 6과같은 방법으로 1000까지 측정한다.
8. 2와 같이 가변저항 스위치를 ‘0’으로 놓고, 전원전류
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실험이었다.
저번 주와 마찬가지로“Experiment 1”의 실험에서는 디지털 저항기 DMM , 디지털 커패시터 측정기 DMM을 사용하여 10k 저항과 1.00F 커패시터의 값을 각각 측정하였다. 측정 결과 저항의 경우 0.02% 오차가 생겼고, 커패시터의 경우 1%의
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실험한다.
(18) 실험 종료 후 모든장비를 해제하고 표준전지와 미지전지만 남긴다.
(19) 멀티테스터를 전압계모드로 바꾼 뒤 표준전지의 실제전압과 미지전지의 3개 번호에 대한 실제전압을 측정하여 실험계산결과와 비교한다.
(20) 검류계는 멀
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실험값을 바탕으로 작성한 반면 실험값의 경우 63.2%가 충전되는 순간쯤을 측정하였기 때문에 완전히 일치하지 않을 가능성이 많았기 때문이다.
충전 과정에서 전기용량이 일정 할 때 저항의 크기가 작을수록 전류가 더 잘 흐르고 축전기 충
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dc Circuits>
● 이 실험은 전류분배법칙을 확인하는 실험이었다. 각 저항의 전류를 측정하기 전에 전류는 저항에 반비례하여 흐른다는 이론을 통해서 저항 값으로부터 전류의 값의 비율을 미리 추측해보았는데 측정된 결과 또한 추측한 것과
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실험에서 가장 어려웠던 부분(이론 및 실험 측면)은 무엇인가?
MOSFET이 트랜지스터이기 때문에 저항과 같이 측정값이 일정하게 고정되는 것이 아니라 측정하고 있는 동안에도 변하고 있을 때가 많았다. 그래서 어느 값을 측정 값으로 해야하는
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실험하면서 저항이 줄어들 때 마다 멀티미터의 단위를 작게 해서 실험을 했는데 이것은 정확한 수치를 얻기에 매우 유용했다. 단위를 작게 할수록 얻을 수 있는 자리수가 많아지기 때문이다.
한가지 우리가 실험에서 하지 않았던 것이 있다
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측정치이고, S는 그 단면적, p는 그 저항선의 비저항이다. 따라서, 미지 기전력 Ex 는
Es는 이미 알고 있는 전지의 기전력으로 전자 부품을 이용하여 정밀하게 조정된 값으로 단자간 전위차는 각각의 제품 케이스에 적혀있다.
5.실험결과
6.논의
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기의 오차에서 내부저항 발생 등 외부요인이 발생할 수도 있겠으나 이 경우 역시 미미한 정도이므로 무시할 만 하다고 할 수 있다. 실험을 통해 저항에 대한 측정과 측정방법, 기기에 대해 조금 더 다가설 수 있었던 계기가 된 것 같다. 또한
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기의 오차에서 내부저항 발생 등 외부요인이 발생할 수도 있겠으나 이 경우 역시 미미한 정도이므로 무시할 만 하다고 할 수 있다. 실험을 통해 저항에 대한 측정과 측정방법, 기기에 대해 조금 더 다가설 수 있었던 계기가 된 것 같다. 또한
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