[전자공학실험] MOSFET 기본 특성

소개글

[전자공학실험] MOSFET 기본 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 제목
　1) MOSFET 기본 특성

2. 목적

3. 실험 결과 및 분석
　1) 실험 1.1

4. 고찰 사항

5. 토의

본문내용

프로 그려보는 것으로써 확인해 보았다. 이와 더불어 핀치오프와 출력저항 및 트랜스 컨덕턴스에 대해서도 확인할 수 있었다.
2.2 이번 실험에서 가장 어려웠던 부분(이론 및 실험 측면)은 무엇인가?
MOSFET이 트랜지스터이기 때문에 저항과 같이 측정값이 일정하게 고정되는 것이 아니라 측정하고 있는 동안에도 변하고 있을 때가 많았다. 그래서 어느 값을 측정 값으로 해야하는지 어려웠던 실험인 것 같다. 그리고 오차의 원인이 될만한 부분이 많이 존재하여 이것에 대해서도 신경을 써야 할 것이라고 판단된다.
5. 토의
오차가 크게 발생할 수도 있는 실험이었기 때문에 그것을 감안하고 했다. 물론 이론값을 정확하게 알 수 없는 것이기도 하지만 직접 책으로 배운 이론과는 완벽하게 일치하지 않는다는 것을 확인 하였다. 우선 앞에서도 살펴본 바와 같이 문턱전압을 정하는 데에 있어서도 정확한 방법이 아닌 급격하게 증가할 때이므로 거기서 발생할 수 있는 오차를 무시할 수 없고, 우리가 측정하는 단위가 0.1, 0.5V정도 되기 때문에 그보다 적은 구간에서 좀 더 정확하게 구할 수 있는 답이 있다면 그것이 오차로 직결되기 때문에 문제가 될 수도 있다. 그리고 측정장비도 가장 큰 오차는 트랜지스터가 고장나거나 그것이 아니라면 DC 파워서플라이의 출력되는 수치의 부정확성으로 인하여 만들어진 오차가 가장 크다고 본다. 트랜지스터는 0.05V에 의해서도 크게 좌우될 수 있는 소자인데 파워 서플라이의 출력은 소숫점 첫째자리까지 나오고 이것 또한 정확하지 않기 때문에 이것으로 인하여 오차가 크게 발생할 수도 있기 때문에 유의해야 한다.

키워드

전자공학실험,   MOSFET 기본 특성,   MOSFET 동작 원리,   MOSFET 동작,   MOSFET,   드레인 전류,   MOSFET 출력 저항,   실험