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공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
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게차이가 되었기 때문에 항량에 도달하였다. 3차시도 에도 불구하고 A칭량병이 항량이 되지 않은 이유는 1차건조가 제대로 되지 않았거나, 병에 수분이 많이 남아있었던 것이 모두 건조되었기 때문이라고 생각된다. 실험결과 공식에 대입하여
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1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저항 전압 전류 측정
옴의 법칙과 저항의 최대허용전압
계산과정 사진 첨부 1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저
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실험에서는 주기가 용수철 운동의 진폭에는 관계없이 질량과 용수철 상수에만 의존함을 알 수 있었다.
3. 참고문헌
· Young & Freedman , University Physics, edition , San Francisco : PEARSON , 2012
· http://phylab.yonsei.ac.kr 1. 실험결과 및 분석
2. 토의 및 건의
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결과는 위와 같다.
L(cm)
F(N)
(Hz)
실험값
186.5
9.8
10.0
이론값
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이 실험의 목적은 줄의 선밀도 를 계산하는 것이었다. 정상파에서 길이가 L이고 선밀도가 인 줄에 장력 F가 작용할 때의 진동수는 이다. 따라서 를 구하기 위해 식을 정리하면 임을
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실험장치. 가속전압 조절 손잡이에 의해 양극에 7kV까지의 전압이 걸린다. 그 전압값은 오른쪽의 전압계로 읽혀진다.
3. 실험장치
- Electron diffraction. Tube a. mounting
- High voltage supply unit 0-10kV
- High-value resistor, 10 MOhm
- Power supply,0….600VDC
- Vernier cali
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. 그 밖에 회로를 구성한 부품들의 저항 등의 사소한 부분에도 원인이 있다고 본다.
3. 참고문헌
연세대 물리실험실(http://phylab.yonsei.ac.kr/) 1. 데이터 분석
1) 실험 결과
(1) RCL 회로
(2) RCL 공명회로
2) 질문
2. 토의
3. 참고문헌
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어쩔 수 없이 약간 낮은 샘플링 속도로 전압을 측정했던 점도 오차의 원인이라고 생각된다.
3. 참고문헌
연세대 물리실험실(http://phylab.yonsei.ac.kr/) 1. 데이터 분석
1) 실험 결과
(1) RC 회로
(2) RL 회로
2) 질문
2. 토의
3. 참고문헌
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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