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증폭을 측정한 결과 <표 6>과 같았다.
바이어스 전압과 전류
9.79V
1.46V
0.85V
8.94V
0.61V
0.69mA
0.004mA
172.5
클리핑이 없는 최대 진폭
출력전압
입력전압
+진폭:20mV, -진폭:20mV
100mV
- 와 병렬로 10㏀을 연결하여 동작점을 차단영역으로 이동하여 바
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실험 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 이번에는 ic가 2mA가 되도록 하는 실험인데 위와 같은 방법으로 해당전류의 V3의 전압을 확인하니 1.66V가 나왔다. 이것을 수치로 정해주었다. 여기서도 V2를 쇼트시켜서 와 를 계산하도록 하는 것이다.
실험
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실험 과정에서 주요 파라미터인 전압, 전류, 전력 소모 등을 측정하고, 각 MOSFET의 스위칭 특성을 분석하였다. 또한, MOSFET가 구성된 증폭기 회로와 스위치 회로의 성능도 평가하였다. 실험 결과, MOSFET는 신호의 증폭과 스위칭에 매우 효과적인
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증폭도 조절을 위하여 저항 는 1kΩ으로 고정하고, 값을 1kΩ으로 한다.
- 함수 발생기의 출력을 입력하였을 경우의 출력 전압을 측정한다.
- 의 크기를 적절하게 변화시켜가면서 의 변화에 따른 출력 전압을 측정한다.
5. 실험 결과
증폭도(계산
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실험을 할 때 나타났던 함수발생기의 입력값이 2배로 들어가는 기계적인 오차도 작용하였던 것 같다. 실험 17. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기
1) 공통 이미터 DC 바이어스
2) 공통 이미터 AC 전압이득
실험 18. 공통 베이스 및 이미터 폴
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결과값에서 오차가 좀 크게 발생하였다. 그러나 VP-P 값이 측정할때마다 조금씩 바뀌는것이 있었고 각 소자의 오차도 있었기 때문에 오차는 발생할 수밖에 없었던 실험 이였다. 15. 트랜지스터의 전압분배 바이어스
○ 실험 목적과 목표
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증폭기의 전압이득이 100일때 만일 에미터 바이패스
캐패시터가 끊어진다면 (전압이득은 감소)한다.
2. 공통에미터 증폭기가 의 부하로 구동될 때 전압이득의 근사값은?
(이라 가정)
①
②
3. 트랜지스터의 직류에미터 전류가 3mA 일때, 의 근
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트랜지스터
11장. 공통 이미터 회로에서의 전류이득
12장. 트랜지스터 데이터와 공통 이미터 회로에 대한 컬렉터 특성
14장. 이미터 접지 증폭기의 바이어스와 증폭도
15장. 이미터 접지 증폭기의 임피던스, 전력 및 위상
17장. 이미터 폴로워
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트랜지스터 증폭기는 그 특유의 전류 제어 메커니즘을 통해 다양한 전자 기기에서 중요한 역할을 수행하는 혁신적인 장치임을 알 수 있다. 1. 연구 목적
2. 사용 장비
1) 측정 장비
2) 구성 요소
3. 이론적 배경
4. 실험 절차
5. 결과 요약
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연결이 잘 되지 않을 경우에는 불안정한 값을 측정하게 된다.
Reference
(1) \"물리학총론\" D. Halliday 외 저
(2) \"대학물리학\" A. Hudson, R. Nelson 저
(3) \"Optics\" Hecht 저
(4) 일반물리 실험 영문 메뉴얼 1. 개요
2. 실험장비
3. 실 험
4. 실험 결과
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