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차이를 보일 수 있음)
그림 4-4
Schematic
Vo
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
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실험 분석할 때도 잘 안나온 점이 있고 오차도 크게 발생하였던 것 같다. 4단자 회로망을 보면 이것은 h파라미터를 처음 접했던 기초회로이론의 내용과도 크게 다르지 않은 것이어서 실험하는데 크게 지장이 없었다. 측정값과의 오차도 크지
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되고 I2=909.1uA가 된다.
1) 실험35 : h파라미터의 측정
1) 회로35-6
실험 회로도
시뮬레이션 결과
분석 : 강의자료에 있는 2N404대신 A1266으로 PNP트랜지스터를 사용하라는 것을 확인하여 그것으로 사용하려고 했으나 확인해본 결과 두 개의 소자가 모
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실험 방법····························34
4.1 기판 세척 공정···························34
4.2 게이트 전극의 형성······················34
4.3 게이트 절연층의 형성·····················35
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회로의 저항 값에 비해서 매우 커야 한다. 그렇지 않으면 부하효과 즉 전압계가 들어간 바뀐 회로에 의한 영향으로 측정하려고 하는 원래 전압 값을 제대로 잴 수가 없다.
I. 실험과정
1) 대나무 길이측정 : 1m길이의 대나무를 조원 4명이서 돌아
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