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공정에서도 PI Coating시 particle이 들어가지 않도록 주의해야 하며, align mark와 전극을 지울 때에는 active영영이 지워 지지 않도록 주의해야 하지만 막상 실험을 했을 때에는 active영역을 살짝 들어가는 경우도 경험했다.
합착 공정 시에는 상판과
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공정 Si도 같이 포함 된 것을 알 수 있었다. 이로써 Fe와 화합물을 형성하는 원소를 첨가하기 보다 Al-Si-Fe화합물과 화합물을 형성하는 원소를 첨가해야 Fe의 영향을 억제할 수 있다는 것을 알 수 있었다. Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이론적 배경
Ⅲ. 실험
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전류가 남아있는 정도를 측정하는 것으로써 이 잔류전류가 작아야 좋은 액정이라 할 수 있다. 1. TFT-LCD 제조기술
2. TFT-Array 공정
3. Color Filter 제조공정
4. 액정 Cell 공정
5. TFT-LCD 부품 및 소재 기술
6. TFT(Thin Fim Trasistor)의 특성
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g 공정에 대하여 실험했다.
2X2로 자른 Wafer에 PEDOT:PSS를 증착 시킬 때, 마이크로 피펫으로 기포가 생기지 않게 여러 번 용액을 넣고 빼기를 반복했으며, 수직으로 용액을 빨아들여 용액이 피펫의 렌지 뒤로 들어가 다음 다른 실험에서 사용 시,
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실험과 이론에 의한 최소유동화 속도를 구해본다.
2. 실험이론
충진층(packed bed)이란 유체와 접목시킬 목적으로 탑에 채운 고체의 정지층으로 특히 촉매반응기, 용질의 흡착, 흡수, 여과층 등 화학공정에서 흔히 쓰인다. 충진층의 충전물로
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실험목적
간단한 온도제어를 model화 시켜 주어진 조건에 따른 응답실험을 보며 P-control, PI-control과 PD-control을 비교하고 최적의 제어조건을 찾는다.
이론 및 원리
온도제어
: 증기온도, 중유의 가열온도, 온수 온도 등을 적정한 범위로 제어
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실험을 진행하기 전에 water, air, CO2 유량계의 단위를 확인했다. water는 GPM, air는 SCfh, CO2는 NLPM으로 적혀있었다. 이를 모두 LPM으로 환산하여 실험방법에 명시된 유량을 맞추어주었다. 책에 기재된 air의 유량은 10LPM으로 이는 21.2 SCFH이므로 첫 실
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I. 실험 목적
역삼투막을 이용해 무기물을 분리하여 조건(압력, 농도)에 따른 분리공정을 이해하고 장치의 조작방법을 습득한다.
II. 실험 이론
- 막분리: 2가지 상으로 혼합된 용액을 반투과성 분리막을 이용하여 서로 분리시키는 방법
? 삼
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부피의 증류수가 필요하다. 또한 교반 시 자석교반기의 위치를 항상 일정하게 유지해야한다. 자석교반기가 cell쪽이나 전도도계 쪽에 더 가깝다면, 실험 시 교반이 잘 되어 전도차가 없다고 가정하였지만 실제로는 기존의 두 공간 사이의 전도
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33
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실험 측정값 : 비간섭계
시간(분)
반응조3
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시간(분)
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0
71
71
18
235
230
1
111
88
19
236
231
2
145
108
20
236
232
3
173
126
21
236
233
4
189
144
22
236
235
5
201
161
23
237
236
6
210
174
24
237
236
7
217
180
25
237
237
8
221
185
9
224
195
10
227
202
11
229
209
12
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