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특징을 비교한다.
측정이 끝나면 가변전압을 0V로 하고 전원을 off시킨다.
5. 자료 및 출처
http://cafe.naver.com/nanophysics.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=161
http://blog.empas.com/biozone62/8949975
http://report.empas.com/report/view.hcam?c=0&no=1062703
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낮을 때는 아래의 정류기를 통해 전류가 출력단자로 전달된다. 두 경우 C-D에 흐르는 전류의 방향은 같다. 그림 4는 전파정류회로의 출력 전류값을 보여준다. 180도의 위상차를 가진 반파의 맥류가 합쳐져 전파의 맥류를 형성하게 된다. 출력단
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LED란 Light Emitting Diode의 약자로서 발광원리는 특정 반도체에 정 방향 부하를 가할 경우 전자가 에너지 레벨이 높은 곳(Conduction Band)에서 낮은 곳(Valance Band)로 이동할 때 그 에너지의 차에 해당하는 부분에 대응하는 파장의 빛을 발한다. 이때 에
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일반물리실험 북스힐, 김영식 외12명 공저, 3-139~141 1. 실험 목적
2.실험 원리
반도체란 무엇인가
반도체의 특성
반도체의 기능
반도체의 기능별 용도
반도체 정류회로
3. 응용방법
4. 실험 방법
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파형의 주기가 T=1/60sec =16.7msec 임을 비교한다.
일반물리학실험레포트
-오실로스코프의 사용법- [1] 실 험 값
(2) 계산 및 결과없음.
(3) 결 론
(4) 토 의
오실로스코프의 사용법
1.목 적
2. 장치 및 기구
3. 이 론
4. 실험방법
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반도체 사이의 접합면에 전위장벽을 형성하므로 스위칭 속도는 오직 접합 용량에만 기인한다. 상대적으로 낮은 전압에서 도통하지만 누설전류가 크므로 고전류 저전압 전원에 이상적으로 상용된다. 다이오드 예비보고서
다이오드 결
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물리적으로 조정이 가능한 전자부품과 응용제품(기본회로)
- 전원회로 : 정류회로 및 평활회로, 정전압 전원회로
- 반도체 부품과 집적회로에 사용되는 기본 회로
- 다단식 및 특수 앰프회로, 기본 증폭회로(직류, 교류 및 전력 증폭기), 차동증
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일반 물리학 실험. 김병훈 외 11명. 북스힐, 1998. 167쪽~177쪽, 321쪽~330쪽
사진 출처는 각 사진의 하단에 첨부하였다. Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
Ⅴ. 오
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반도체의 접촉 특성을 응용
7) 발광(LED)다이오드:발광 특성을 응용하여 display장치로 사용
8) 수광(포토)다이오드 : 광검출 특성을 응용하여 광센서로 사용
9) 바리스터 다이오드 : 트랜지스터의 출력단의 온도 보상에 주로 사용
* 참고 문헌: 장
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반도체의 접합으로 순방향 전압손실이 작고 응답 속도가 빨라 고주파 및 고속 스위치용으로 사용된다.
5. 터널 다이오드(Tunnel diode)
일반 다이오드 보다 수백배에서 수천배 불순물 농도를 높여 매우 좁은 공핍층을 형성하게 한 다이오드로 일
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