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실험에 따라, 옴의 법칙을 이용해 I와 V값을 가지고 R값을 추론하는 방법은 정확함을 추론할 수 있다.
③ 지정된 전압, 전류 및 저항조건을 만족하는 병렬회로 설계
※ 전압 V로부터 전류 I를 생성하는 회로 설계
→ 만족시켜야 할 IT의 값은 20mA
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97
I3
2.5
I3
2.5
I3
2.506
인가전압이 10V일 때, 각 저항값과 전류값의 이상적인 회로에서의 이론값, 실제 구성된 회로에서의 이론값, 실제 측정값은 위 표와 같다.
이상적인 회로는 회로의 전류가 5mA가 되어야 하나, 실제로 구성한 회로는 R2가 조금
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실험과 조사를 통해 확장되게 알 수 있었다. 멀티미터 사용법과 옴의 법칙
< 전기회로 및 실습 예비 + 결과 보고서 >
1. 실습 목표
2. 실습 관련 이론
① 브레드 보드 (사용법)
② 멀티미터 (사용법)
③ 저항 읽기
④ 전류계, 전압
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로의 Thevenin 등가회로를 이론 및 실험으로 구하고 비교하려 한다.
↑그림1
3.1 브리지회로에서 RL에 흐르는 전류는 얼마인가?
mesh1)
mesh2)
mesh3)
cramer's rule를 이용해 구하면
위와 같은 행렬형식으로 식을 구할 수 있다. 이것을 풀면
와 같은 결과
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실험회로. (a) 원래 회로, (b) 등가회로.
실 험 결 과 보 고 서
보고자: 학과 및 학년
학 번
이 름
보 고 일 자 :
실험제목 : Thevenin 정리와 Norton 정리
I. 측정값
(1) Thevenin 등가회로
표 1 Wheastone bridge 회로와 그 등가회로에서의 부하전류의 비교
회
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브리지는 “역전압 보호”로 사용될 수 있다. 전지가 반대로 삽입되거나 직류 전압이 반대로 연결되어도 내부회로를 보호하고 정상적인 전원을 공급하는 일반적인 기능을 가능하게 한다.
브리지 정류회로 회로도
시뮬레이션 결과 값
[확대]
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전류값을 옴의 법칙으로 계산하는 방법으로 실험을 진행하였는데, 멀티미터 내부의 저항 등의 요소로 인하여 약간의 오차는 발생하였지만, 예측값과 흡사한 성공적인 결과를 얻어 낼 수 있었다. 회로를 구성하는데에 있어 익숙치 않은탓에
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점점 축척이 되고, flash switch를 닫았을 때, 그 축적된 에너지가 방출이 되는 것이다. 그럼으로써, 짧은 시간동안에 큰 전압을 발생시킬 수 있는 것이다.
3. Reference
-Principles of Physics
-회로실험 교재 1.실험결과
2. 토의
3. Reference
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필요가 없기 때문이다. 하지만 공급전압이 0V이면 안된다, 그럼 아예 전류가 흐르지 않기 때문이다.
평형 브리지 회로에 대해 기본적인 지식들을 알게 되는 계기가 된 실험이었다. 1. 실험목적
2. 이론적배경
3. 실험과정
4. 결과
5. 고찰
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회로로 변경할때의 값을 측정
하여 알고 있는 식이 참인지를 알아보는 실험을 수행하였는데
가변저항을 이용하여 <그림 5.15>와 같은 회로를 만드는 실험이었다.
따라서 실험(6)은 ,,가 실험(5)에서 측정한 값인 약 660㏀을 나타내는 결과
값
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